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来源:化合物半导体市场发布时间:2023-07-061437浏览
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外延生长是SiC器件制造的核心环节,扮演着承上启下的作用,其外延质量和缺陷率将直接影响着器件的性能和良率,据SiC外延生长CVD设备供应商纳设智能介绍,SiC外延生产成本约占SiC器件总体成本的23%。
简单来说,SiC器件的降本增效与外延环节也息息相关,而大尺寸的外延片有利于提高产量,并缩减生产成本,因此,8英寸外延片的市场需求逐年提高。然而,8英寸外延片的制备技术和工艺门槛较高,目前能够量产8英寸外延片的厂商并不多,不过,国内SiC外延主要生产商近日传来了好消息。
近期,瀚天天成在第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会上宣布,已实现了8英寸碳化硅外延工艺的技术突破,拥有了国产8英寸SiC外延片的量产能力,并且最近签署了多项长期合约,其中包括价值超过1.92亿美元(约合人民币13.91亿元)的8英寸长期合约。

Source:瀚天天成
目前,瀚天天成正在积极扩充产能,截至2022年8月消息,其拟在厦门新增75条SiC外延片生产线(配套尾气净化器)、1套纯水机组及其他生产设备,预计新增SiC外延片30万片/年的生产能力。
瀚天天成介绍,目前公司生产的SiC外延晶片质量达到国际先进水平,厚度均匀性小于3%,浓度均匀性小于6%,并且2mm*2mm管芯的良率超过98%。这一技术突破标志着我国已经具备商业化的8英寸SiC外延生长技术,进一步推动SiC外延材料的国产化进程。(文:化合物半导体市场 Jenny整理)

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2026-07-10