SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作

7月4日，碳化硅衬底厂商天岳先进在投资者互动平台表示，公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与国际半导体知名企业加强合作，包括英飞凌、博世集团等全球知名企业。

碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料，和传统材料相比具有更加优异的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能，在电力电子以及微波电子领域有着广泛的应用前景。

天岳先进认为，SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，新的应用场景不断涌现。在市场需求爆发的背景下，SiC的供需缺口也较大。

天岳先进表示，公司持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率。

天岳先进通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术。

一方面公司同时能够大批量供应高品质导电型衬底和半决缘衬底，另一方面公司在晶体厚度、晶体尺寸上也持续实现快速的技术进步。

天岳先进称，目前下游市场对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势，公司上海临港工厂也进入了产品交付阶段，获得市场快速发展的机遇。公司将持续扩大产能，提高产品品质和良率，为行业提供最高品质的衬底产品。

同时，天岳先进透露，公司已与国际半导体知名企业加强合作，包括与国际功率半导体知名企业英飞凌、以及汽车电子领域知名企业博世集团等全球知名企业都开展了合作。公司产品品质获得了国内外客户的高度认可，订单交付持续快速攀升。

此前5月，天岳先进与英飞凌共同宣布双方签订了一项新的晶圆和晶锭供应协议。根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒。

第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。据悉，天岳先进的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

同时，天岳先进还与博世集团与签署了战略合作长期协议，以锁定芯片制造关键材料碳化硅衬底的需求。

除了天岳先进，其他碳化硅衬底厂商天科合达已与英飞凌签约，合作制备8英寸衬底；三安光电则与意法半导体结盟共建8英寸碳化硅外延、芯片合资代工厂；中电化合物与韩国Power Master签订了8英寸碳化硅材料长期供应协议。

5G、新能源汽车、光伏风电、智能电网等产业的迅速发展，带动了市场对碳化硅的需求。据TrendForce集邦咨询研究统计，第三代半导体包括SiC与GaN，整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39.8亿美元、CAGR约38%；再生能源达4.1亿美元、CAGR约19%。

封面图片来源：拍信网