三星泄密案更多细节曝光 涉案高层反驳：为台厂设计而非山寨半导体厂

三星电子（Samsung Electronics）半导体技术泄密案再爆出共犯、窃取数据之细节。

值得关注的是，前三星、SK海力士（SK Hynix）高端主管崔珍奭致信路透社（Reuters），澄清过去是为富士康设计DRAM初期测试厂，而非「国内复制半导体工厂」。

三星半导体技术泄密案爆出后，崔珍奭被指企图窃取数据，用于国内复制三星半导体工厂。而
韩媒京乡新闻引述水原地方检察厅公诉状等数据指出，除崔珍奭参与之外，另有4名三星资深职员参与犯案（下以A某、B某、C某、D某代称），且过程有三星合作企业员工协助。

据悉，A某过去在三星主管半导体制程开发等业务，并于2018年9月收到某中国台湾电子企业的钜额投资承诺，邀请A某推动国内20纳米级DRAM半导体厂计划（F计划），接着A某后又携3名三星资深前员工（B某、C某、D某）参与。外界普遍认为，该台湾电子企业指的是富士康。

先前，B某、C某于三星建设组工作，负责半导体工厂建设相关业务；D某则在三星生产线企划组工作，负责绘制制程布局图等。

A某主要下指示取得三星图纸及数据，B某则透过先前负责西安三星半导体厂设计的合作企业职员，获取华城三星半导体工厂BED数据。

BED指的在无尘室的最佳温度、湿度等数值。水原地方检察厅公诉状中解释，三星以数十年来生产半导体的试行错误为基础，得出半导体制程BED数据，倘若竞业直接使用BED数据，将可大力节省时间、人力、成本。

另外，C某透过参与西安半导体工厂建设的监理企业职员取得工厂设计图；D某则在2019年1月抄袭制程布局图，内容包含西安半导体厂8大制程数据。

同时引起各界关注的是，崔珍奭被拘留后写信到路透社反驳多项指控。信中崔珍奭指出，工厂是为富士康设计，用于DRAM初期测试，三星西安厂则着要用于生产NAND Flash，且DRAM、NAND不仅制程技术不同，制造设备也不完全相同，取得三星NAND设备布局并无用处。

崔珍奭也在信件中表示，这家工厂在富士康退出后并未建成，此外之前权衡多个城市后，最终决定于青岛建设工厂而非西安。

不过韩国检方拒绝评论崔珍奭信件内容，强调案件焦点是非法获取及使用敏感信息。而国内青岛市、西安市政府未对此回应。