半导体元老窃密过程曝光 三星损失估超过2亿美元

三星电子（Samsung Electronics）前高层崔珍奭于日前遭控窃取三星机密技术，并计划在国内复制、兴建一座半导体厂，引发市场譁然。

根据路透（Reuters）最新取得韩国检察官起诉书内容显示，依据三星在相关技术方面的投资成本推估，技术窃密行为造成三星超过2亿美元的损失。

报导指出，崔珍奭是在5月时遭到逮捕，并于6月12日被正式起诉且取商业机密，尽管他否认所有控诉内容。

据了解，崔珍奭在新加坡成立的碁诺半导体（Jin Semiconductor）谘询公司，于2018年8月时获得来自富士康的合约，协助后者在西安设置半导体厂；检察官指控，在短短几个月时间，崔珍奭从三星和旗下子公司挖角大量员工，并自2家承包商非法取得半导体厂建造的相关机密信息。

起诉书指出，碁诺半导体非法使用自韩国承包商Samoo Architects & Engineers某员工取得的无尘室管理相关机密信息。Samoo曾于2012年时参与三星在国内西安厂的建造项目。

此外，碁诺半导体也自另一家三星西安厂承包商HanmiGlobal员工处非法取得该厂的建造蓝图。据悉，HanmiGlobal当时负责监督西安厂废水处理和其他涉及芯片制程相关附属设施的建设和楼层规划。

三星对此报导尚未做出回应。富士康方面则透过声明稿表示，持续跟进韩国相关案件的进展，但该公司不针对正在进行中的调查发表评论，仅强调该公司严格遵守所在管辖区的法律规范。

起诉书并未指控富士康涉及不法行为。另包括Samoo Architects & Engineers以及HanmiGlobal也并未遭到正式起诉。

据DIGITIMES此前报导，崔珍奭于1984年加入三星，服务超过18年时间，并因在12寸晶圆加工技术研发的成果而三度获得「三星技术大奖」。他于2001年时转职SK海力士（SK Hynix）前身海力力半导体（Hynix Semiconductor），并成功协助DRAM制程技术革新。崔珍奭在SK海力士曾先后担任存储器生产中心负责人、存储器制造本部长。

他于2010年转进韩华Q CELLS、STX Solar等太阳能领域；随后于2015年前赴新加坡成立碁诺半导体，并积极招募三星、SK海力士旧识，且为了在国内兴建半导体厂，于2019年时成立真芯（北京）半导体有限责任公司；随后又于2020年与成都政府合资，成立了成都高真科技有限公司。