英飞凌或在欧洲自行生产SiC晶体

据电子时报消息，英飞凌目前正在美国扩大碳化硅（SiC）器件的生产，该公司此前一直采购其它公司制造的碳化硅晶圆。有消息人士称，英飞凌很可能未来在欧洲自行生产碳化硅晶体，以求供应稳定。

近年来，英飞凌不断扩大在SiC、GaN上的布局。

SiC方面，今年1月，英飞凌官网宣布，他们再一次与Resonac Co., Ltd.（原昭和电工株式会社）签署了一项新的多年供应和合作协议。

根据新协议，Resonac将为英飞凌提供生产SiC半导体元器件的SiC材料，包括6英寸和8英寸外延片。初期将以6英寸为主，后期也将供应8英寸SiC外延片，为英飞凌向8英寸晶圆转型提供充分的材料支撑。

5月，英飞凌宣布分别与天科合达和天岳先进签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。

据悉，天科合达和天岳先进主要为英飞凌提供6英寸SiC衬底，同时还将提供8英寸SiC材料，助力英飞凌向8英寸SiC晶圆过渡。此外，协议还包括SiC晶锭。

同月，英飞凌还与鸿海集团已签订一份合作备忘录，两家公司将在电动车领域建立长期合作关系。

根据协议，双方将聚焦于SiC技术在电动车大功率应用的导入，如：牵引逆变器、车载充电器以及直流转换器等。此外，双方还计划在中国台湾共同设立系统应用中心，以进一步扩大双方的合作范围。

GaN方面，今年3月，英飞凌和GaN Systems共同宣布，英飞凌拟以现金8.3亿美金（约合人民币57.27亿元）收购GaN Systems，双方已就此达成最终协议。不过，本次交易最终还取决于监管部门的批准等惯例成交条件。

5月，据外媒报道，英飞凌宣布，将主导一个由45家合作伙伴共同参与的欧洲联合科研项目，立足欧洲供应链，开发从芯片到模块的集成氮化镓 (GaN) 功率设计。据悉，该项目名称为ALL2GaN，项目预算6000万欧元，建设周期三年，旨在利用人工智能加强GaN功率技术的可持续性和安全供应链，聚焦于通过各种方式集成GaN芯片。

值得注意的是，在英飞凌的菲拉赫工厂开发的集成工具箱包括单独的GaN分立元件、高性能GaN模块、芯片设计和新颖的片上系统集成方法。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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