Transphorm获得价值1500万美元的美国政府合同

来源：化合物半导体

ECLIPSE项目旨在建立先进GaN外延材料的生产和供应

总部位于美国的GaN功率公司Transphorm已获得美国国家安全技术加速器(NSTXL)高达1500万美元的合同。

该合同针对ECLIPSE项目，委托Transphorm制造先进的GaN外延片。该公司表示，有机会为该项目做出贡献，显示了其在先进GaN材料领域及其MOCVD制造基础设施方面的知识产权、知识和专长。

Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示，“毫无疑问，先进GaN材料的价值和潜力在广泛的应用中是显而易见的。我们开发了多个高功率密度平台，这些平台具有创纪录的性能和效率优势，适用于功率转换和射频应用。”

“这种类型的创新正是Transphorm擅长之处，因其强大的核心外延材料的多功能性，及其设备和制造能力。我们一直致力于发展和改进GaN技术的各个方面，包括材料、设计和工艺。我们现在期待ECLIPSE项目得以强力执行，以增强我们供应先进GaN外延片的能力。”