Resonac第三代SiC技术 可满足EV高成长需求

日本电子材料大厂Resonac提出2027年碳化矽（SiC）磊晶事业营收达2022年5倍的目标，尽快以8寸线量产第三时代产品，代替目前6寸线量产的第二时代产品，无疑是关键。

在2023年1月，由昭和电工（Showa Denko）改组成立的Resonac，从2010年开始研发SiC磊晶技术，2015年提出第一时代SiC技术，2019年推出每平方厘米SiC磊晶膜缺陷低于0.1个的第二时代SiC磊晶，2022年3月以6寸线进行第二时代SiC磊晶的量产出货。

紧接着Resonac从2022年9月起提供8寸SiC磊晶晶圆样品，2023年3月开始提供的第三时代SiC磊晶晶圆样品。

日经济闻（Nikkei）报导，Resonac的SiC磊晶事业特色，在于只提供基板与磊晶成品，最终零件由客户制造，Resonac协助但不竞争，因此连同业如英飞凌（Infineon）、罗姆半导体（Rohm）研发时也会采购Resonac产品。

但确保SiC磊晶生产中追加特定杂质，同时维持业界最高水准的低缺陷是关键；目前Resonac提出的研发目标，2030年8寸SiC磊晶晶圆的缺陷数，是当下6寸第二时代SiC磊晶晶圆缺陷数的10%以下。

目前SiC功率半导体的弱点，还有成本高于现行产品，虽然可靠SiC磊晶的8寸线压低成本，但据Resonac零组件服务SiC技术CTO金泽博表示，可能要彻底改变制程，可行方式非常多。

同时，因厂丰田（Toyota）最新款Lexus RZ纯电休旅，使用Resonac的SiC磊晶产品，亦让Resonac决定加速投资。