新一代DRAM制程谁主导？ 最快2027年见真章

随着DRAM即将发展到10纳米以下，存储器业界为了突破技术限制，开始投入新一代制程研发，分为4F SQUARE、3D DRAM两大方向，主要DRAM业者各有选择。考量相关技术的商用化时程，预期2027年将成为DRAM市场的转捩点。

TechInsights研究员崔正东（音译）日前于「2023新一代存储器制程设备、材料、技术会议」指出，新一代DRAM制程的发展方向是使用High-NA EUV（4F SQUARE结构）还是3D DRAM，将在2027年后决定。

据悉，针对新一代存储器研发，三星电子（Samsung Electronics）集中于4F Square；SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）则集中于3D DRAM。

业界指出，由于既有的6F Square结构，难以生产10纳米以下DRAM，因此三星欲透过4F Square结构突破技术限制。4F Square DRMA采垂直向上的晶体管（transistor）结构，相较既有的6F Square单元结构完全改变，晶粒面积将有望缩小为原本30%左右。

2023年5月传出，三星为了实现4F Square DRAM量产，于半导体研究所内部成立研发小组。

SK海力士与美光关注的3D DRAM技术，则是类似3D NAND Flash的概念，透过堆叠DRAM提高效能和空间使用效率，可不使用EUV设备为最大特点。相较三星、SK海力士较慢引进EUV设备的美光，更积极投入3D DRAM研发。

此外，混合键合技术（hybrid bonding）预期也将成为新一代DRAM制程的技术关键之一。崔正东指出，混合键合当前仅使用于NAND Flash和非存储器芯片，但预期未来DRAM也将应用混合键合技术，如此一来不仅是3D DRAM，4F Square等DIMM形态DRAM也有望引进堆叠技术。

不过，由于4F SQUARE和3D DRAM等技术，不论是制程、设备、材料等都将大幅变动，估计需经历长期的试错过程，预期上述结构性变动至少要到2027年才会商用化。