美国打压中国存储芯片，给韩国厂商，赢得了宝贵的半年时间

昨天，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片，开始量产了，正在与一家智能手机制造商测试，随后会全面推出市场。

你没有看错，2023年6月份，SK海力士的232层堆叠的NAND闪存芯片，才开始量产。仅仅落后了国产存储芯片厂商长江存储半年时间。

要知道长江存储，于去年就量产了232层NAND闪存，全球第一家量产232层闪存的厂商，同时其232层的存储颗粒，目前在市面上已经大量出货。

目前国内那些价格便宜的PCIe4.0的国产SSD，采用的是就是长江存储232层的NAND芯片，具体的牌子就不要说了，基本上国产的便宜的SSD均是。

按照一般行业规律而言，落后半年多，那么整个市场对落后者是非常不友好的，因为领先半年的对手，已经完成了大量出货，市场占有率已经提升了，落后者已经失去了先机。

毕竟232层的NAND，在单位容量价格上会更便宜，因为层数越多，单位体积下的存储密度会更高，这样成本会低一点。

不过，情况在长江存储、SK海力士这里又不一样了。原因是美国对长江存储进行了打压，虽然长江存储提前半年量产了232层堆叠的NAND闪存，但问题是因为打压，其产能没法升级，因为美国将128层以上NAND闪存生产设备，进行了封禁。

所以本来应该大量出货的232层NAND闪存，长江存储因为产能问题，没法大量出货占领市场，大家可以看到长存原厂的SSD，都不是采用232层堆叠的芯片……

所以可以说长江存储，其实是因为打压失去了这个宝贵的半年的时间窗口期，导致SK海力士虽然晚半年推出，实际影响却不会特别大。

之前很多人表示，长江存储已经能够量产232层NAND闪存，这个打压还有什么意义呢？实际上意义就在这里，让长江存储没法扩产，然后空有技术，也没产能，最终市场就还会是美光、三星、SK海力士等厂商的。

而长江存储靠着128层及以下的闪存颗粒来战市场的话，则因为层数小，于是单位体积下的存储密度低，从而单位容量的存储芯片，成本会高一些，从而竞争优势没这么大。

这就是美国的目的，就算你突破了，也让你的产能跟不上，最终眼睁睁的看着比你技术落后的厂商还后来居上，占领了市场！

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