功率半导体发展如火如荼，国产企业有望弯道超车

功率半导体发展如火如荼，伴随着5G、物联网、新能源等行业的迅速发展，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力的SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等为代表的第三代半导体材料进入快速发展阶段，功率半导体正从传统硅基功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），走向以SiC和GaN为代表的时代。

据TrendForce集邦咨询研究统计，第三代半导体包括SiC与GaN，整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

从市场占有率来看，碳化硅功率器件全球主要的市场份额主要掌握在以意法半导体、英飞凌、科锐、罗姆半导体等为代表的企业手中，前五名的公司所占份额高达91%左右。我国在这条赛道上还在跑马直追，近年来，针对该领域的企业融资并购、增资扩产、新项目投产动工不断涌现。其中，我国企业三安光电、基本半导体、中国电科等在内的本土厂商，近期动态频频。

6月7日，意法半导体在官网宣布，将与三安光电在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

中国电科方面，则在流片上带来了好消息。近日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。而55所此前已在国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批产技术，碳化硅MOSFET器件在新能源汽车上批量应用，装车量达百万辆，处于国内领先地位。同时，在SiC定制化和研发难度较高的设备端，中国电科48所研制的碳化硅外延炉出货量同比大幅增长。

基本半导体方面，4月24日，深圳基本半导体有限公司车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。该产线的顺利通线，将全面提升粤港澳大湾区第三代半导体制造实力和核心竞争力，助力国内车规级碳化硅芯片供应链实现自主可控。6月8日，深圳基本半导体有限公司器件研发总监张学强在2023国际AIoT智能网联汽车分论坛上，对当下汽车领域内碳化硅的渗透板块，工业电源、通信电源、光伏发，以及新能源汽车、智能电动车方面进行了介绍。

针对近年来碳化硅的使用困境，他表示，从2022年下半年到2023年开始，越来越多的主机厂开始从底层为碳化硅进行设置。虽然未来依旧会遇到许多问题，但是随着未来合作不断深入，这些问题在逐步得到改善以及解决。

总体来看，SiC器件性能优势显著，应用范围广泛，我国企业在该领域奋起直追，有望实现弯道超车。

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