嵌入式ENVM晶圆预估 2028将达100万片与27亿美元

随着美光（Micron）与英特尔（Intel）相继停止开发基于3D XPoint技术的新兴非挥发性存储器（ENVM）产品，为独立式（Stand-alone）ENVM市场的开拓带来了沉重打击，不过由于采28纳米以下节点制程的嵌入式（Embedded）Flash存储器产品迟迟未能推出，预期嵌入式ENVM市场仍然具有乐观前景。

调研机构Yole Intelligence预估，以相当于12寸晶圆计算，包括相变化存储器（PCM）、电阻式随机存取存储器（ReRAM）、磁阻式随机存取存储器（MRAM）在内的嵌入式ENVM晶圆年产量，会由2022年1.9万片，成长为2028年约100万片，合计2022~2028年产量年复合成长率（CAGR）为94%。

同期嵌入式ENVM市场规模也会以CAGR 133%的幅度快速成长，在2028年达到27亿美元。相较而言，2028年独立式ENVM市场规模会下滑至2.97亿美元，CAGR为-10%。

嵌入式ENVM主要用于模拟IC与微控制器（MCU）中，2028年上述应用嵌入式ENVM晶圆产量将分别约达42万片与45万片，占总产量41%与44%。此外，为满足部分应用对低延迟、低功耗、高稳健性与安全性运行的需求，各种晶粒内（On-die）嵌入式存储器解决方案也在兴起。

预期具有低功耗、高密度和低延迟特性的嵌入式MRAM会运用在低功耗MCU/SoC芯片、各种特用IC（ASIC）、物联网（IoT）与穿戴式装置中。如将嵌入式MRAM配备在CMOS影像传感器中，来作为存储器缓冲区使用。

尽管MRAM具有上述特性，但由于ReRAM结构简单，且制造材料可以快速和轻松地与现有制造流程和技术整合，并不需要特殊设备或大量投资，因此也备受青睐，成为MRAM的强劲竞争对手。2022年底，英飞凌（Infineon）推出采台积电28纳米制程，首款配备嵌入式ReRAM的车用MCU产品AURIX TC4x，不但重新引发业界对ReRAM技术的兴趣，也凸显出为车用MCU的量产做好了准备。

至于在高温操作下能够提供良好性能的嵌入式PCM，则是在汽用MCU与功率IC产品中具有良好发展潜力。

预估2028年（STT-）MRAM、ReRAM与PCM市场规模占比将分别为49%、37%与14%。

目前台积电、格罗方德（GF）、三星电子（Samsung Electronics）、联电、意法半导体（STM）为嵌入式ENVM主要制造业者。这些业者大多与专业ENVM供应业者建立策略联盟，以加速生产40纳米节点以下嵌入式ENVM。

日前台积电与恩智浦（NXP）宣布，采16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）技术的MRAM IP已在开发中。该项宣布不但预示了嵌入式ENVM市场的良好前景，也展现出台积电在扩展ENVM代工和制程成熟度上的领导地位。

预估2028年嵌入式ENVM晶圆年产量将达约100万片，合计2022~2028年产量CAGR为94%。Everspin