突破！中国台湾首片8英寸SiC晶圆，成功制造！富士康子公司立功

据电子时报6月5日报道，富士康旗下的子公司成功制造出中国台湾地区首片8英寸SiC（碳化硅）晶圆。由于SiC材料晶体生长难度大、材质硬导致切割困难，因此此前该公司仅有能力制造最大6英寸的SiC晶圆。

根据电子时报报道，富士康旗下的Taisic Materials（盛新材料科技）负责晶体生长和衬底生产，Gigastorage负责SiC晶圆切割、研磨和抛光。盛新材料CEO表示，该公司的碳化硅晶体生长技术仅比国际头部公司Wolfspeed落后一年，后者是目前全球唯一能够量产8英寸SiC晶圆和衬底的制造商。

盛新材料CEO称，该公司成立只有不到3年时间，但从成立不久后就成功生长出了直径4英寸SiC晶体。但客户更有意向使用6英寸SiC，因此公司快速进行6英寸产品的开发，其中导电N型SiC晶圆和6英寸衬底正按计划逐步扩大生产。

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由于半导体芯片的形状为矩形，而晶圆为圆形，因此晶圆的面积越大，利用率越高，就能切割出更多的芯片。因此，不论是单晶硅还是碳化硅，使用大尺寸晶圆/衬底制造芯片，有助于芯片厂商降低成本。

该公司还表示，目前全球碳化硅产品比较紧缺，新能源电动汽车逐渐从IGBT转向更高端的SiC MOSFET，增大了碳化硅芯片的需求。该领域众多公司，都在积极寻求稳定的SiC衬底供应来源。2023年，盛新材料计划将碳化硅生长炉的数量增加至65台，其中5台来自美国，10台来自日本，其余的来自中国台湾的Kenmec公司。

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