华微电子将推进产业链垂直整合，以八英寸项目为核心向上下游拓展

半导体产业网讯：?华微电子(600360)5月31日召开2022年度业绩说明会，公司董事长夏增文，董事、CEO于胜东，董事会秘书孙铖等出席活动，并与投资者进行沟通交流。

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。华微电子拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年400万片，封装能力每年24亿支，模块每年2400万块。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，其中IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等国内领先，达到国际同行业先进水平。公司主要生产功率半导体器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围，广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域，并不断在新能源汽车、光伏、变频等战略性新兴领域快速拓展。

华微电子2022年实现营业收入19.53亿元，净利润5775万元。2022年的研发投入过亿元，持续加强知识产权建设，全年获得超过30项专利授权，占公司现有专利总数的23%、占近3年授权数量的50%，达到历史新高。

“产品创新方面，公司推出多款自主研发多层外延超结MOS、Trench FS IGBT新产品。超结MOS产品应用于充电桩、UPS电源等领域，Trench FS IGBT产品应用于新能源汽车、工业变频、光伏发电、白色家电等领域，成功替代国外知名品牌产品，为我国在智能、物联网时代推进产品国产化替代、实现跨越发展培育了新动能。”于胜东说。

在华微电子2022年年度董事会经营评述中显示，在研发方面，华微电子完成了第二代多层外延高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGTMOS、SiC SBD和650V GaN等产品技术研发，实现了具有自身特色的功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。

（1）超结MOS：第二代超结MOS进入量产阶段，应用于电源及工业领域。

图源：华微电子官网

（2）IGBT：根据在白色家电、工业变频、UPS和光伏等领域应用的不同特点，有针对性地优化IGBT产品参数，形成适用于不同应用领域的低、中、高频系列IGBT产品及模块。开发载流子存储沟槽IGBT技术，较上一代TrenchIGBT电流能力提升25%，有望在未来几年进一步提升公司IGBT产品的综合竞争力。

（3）中低压MOS：完成SGTMOS产品系列化，具有低导通电阻兼顾耐冲击能力的特点，产品达到国内先进水平，在电源、BMS领域广泛应用。

（4）宽禁带半导体：完成650V-1200V、5A-40ASiCSBD产品开发，在快充、光伏、大功率电源领域开始示范性应用；在现有GaNHEMT技术平台基础上，完成二代100V-650V高FOM值GaN功率器件开发，同产品规格下芯片面积缩小30%，产品可用于30W-240W充电器、48VDC/DC转换器、通信电源及光伏微型逆变器等领域，功率密度及转换效率达到国际先进水平。

（5）IPM：完成了DBC封装工艺平台的开发和封装外形拓展，产品外形进一步完善，达到国内先进水平，在白色家电、工业控制领域大力推广得到广泛应用。

关于重点产品研发计划如下：

1.加快新一代载流子存储IGBT产品系列化，加速超结MOS、中低压SGT MOS和高密度低压Trench MOS产品推广。结合自主IDM模式8寸线工艺平台，研发新一代多层外延超结技术，进一步提高电流密度。继续深耕光伏、工业控制、白色家电、新能源汽车等领域。

2.推出新一代高密智能功率模块IPM产品，进一步加强与白色家电头部客户的合作；大力推广PM模块产品，在工业控制、光伏风电及新能源汽车领域批量应用。

3.开发新一代100V/650VGaN功率器件，功率密度提升30%，达到国内领先水平；开发SiC MOSFET工艺技术及产品，在工业及新能源领域布局。

4.依托现有四寸晶圆平台，加大1800V-2200V平面175℃结温高压整流二极管及模块产品开发及推广力度；传统的BJT产品逐步向以集成电阻、达林顿结构、MOS+BJT结构等新型结构方向转型，以适应市场多元化需求，同时开发新应用方向，向中高频方向拓展。

5.持续不断深入优化FRD产品、SBD产品以及平面高压MOS产品性能，在不断完善现有产品平台基础之上开发具有正温度系数FRD产品平台，开发具有高极限能力及可靠性的FRD系列产品及模块，开发1500V至3000V高压平面MOS产品平台以及具有高抗冲击特性的TrenchSBD产品平台。

6.拓展具有高dv/dt能力、强电流冲击承受能力的高结温平面结构SCR产品系列，更好地为高端白色家电领域、新能源车载充电领域、工业控制领域重点客户提供产品解决方案。

针对半导体人才竞争激烈的现状，于胜东表示，华微电子多措并举，通过选、用、育、留全方位努力，引进、培养、稳定人才队伍，给予人才足够的认可与支持，打造企业人才核心竞争力。

在谈及今年的市场格局时，夏增文说，功率半导体器件是全球第二大半导体产业，是工业加工、汽车制造、无线通讯、消费电子、电网输变电和新能源等应用领域的核心，是我国的支柱性、战略性、前瞻性产业。近年来，由于国际贸易形势较为复杂，半导体产业的战略地位尤为突出，半导体科技自主可控与国产化替代成为国家科技自立自强、安全智能绿色发展的刚需。在科技发展与国家战略的双轮驱动下，功率半导体行业呈现强劲发展趋势。

据夏增文介绍，2023年，华微电子将快速推进产业链垂直整合，以八英寸项目为核心，向上游拓展推进外延项目，保障供应链安全可控；向下游拓展推动封装项目，建立汽车电子封装专线。从而形成吉林功率半导体完整、坚韧的产业链，加强半导体自主可控。

华微电子将持续研发新型功率器件、模块、宽禁带半导体产品，加速形成以汽车电子、工业控制、新能源、高端装备制造、网络通信、智能家电等战略性新兴领域为重心的生产基地，实现高端领域国产化替代。华微电子将以市场为导向，实施全链条垂直整合，推进人才链、创新链、产业链、价值链的深度融合，着力打造国内领先的半导体功率器件产业基地。