厦门士兰集科微扩产项目节能报告获批 年产30万片IGBT功率器件

5月26日，厦门市工业和信息化局公布了《关于厦门士兰集科微电子有限公司新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目节能报告的审查意见》。

审查意见显示，该项目建设单位为厦门士兰集科微电子有限公司，拟于2024年12月投入使用。建设将利用现有12英寸厂房FAB1，在厂房二层和三层预留区域新增生产设备。其中，二层为工艺技术下夹层，三层预留区域主要布置光刻（LITHO）、刻蚀（ETCH）、湿法刻蚀（WET）、扩散（DIFF）、薄膜（TFD/TFM）、离子注入（IMP）等。共计使用建筑面积17748.48m2，工艺面积计4000m2。项目建成后可年产30万片12英寸IGBT功率器件芯片。

审查意见指出，结合专家评审意见，原则同意该项目节能报告。并且在审查意见自印发之日起2年内有效。若2年内未能如期开工建设，建设单位应在有效期满前30天内向市工信局申请延长有效期。若超期未建且未申请延期，或已申请延期但申请未在失效期前获批，节能审查意见自动失效。