对决三星！SK海力士10纳米级1b DRAM研发完成

SK海力士（SK Hynix）近期完成10纳米级（1b）DRAM研发，相关产品已进入英特尔（Intel）的认证程序，计划持续扩大应用领域，改善业绩。

综合韩媒Ddaily、韩联社报导，SK海力士日前宣布已完成10纳米级（1b）DRAM研发，并向英特尔供应使用该技术的服务器的DDR5产品，进入数据中心的存储器认证流程，若通过则代表与英特尔服务器平台「Xeon Scalable」的兼容性获得认证。

本次向英特尔供应的DDR5产品，处理速度为6.4Gbps，与DDR5初期样品4.8Gbps相比，提高了33%。同时，采用高介电常数金属闸极（High-k Metal Gate；HKMG）制程，与10纳米级（1a）DDR5相比，耗电量降低20%，处理速度约快达14%。HKMG是将高介电常数（k）的物质，用于DRAM晶体管内部绝缘膜的技术，可防止漏电并改善电容量，同时加快速度。

SK海力士副社长、DRAM研发负责人金钟焕（音译）表示，预期存储器市况将自2023年下半获得改善，SK海力士将以量产1b等业界最高水准的DRAM竞争力为基础，加速改善2023年下半业绩，并于2024年上半将最先进1b制程扩大到LPDDR5T、高带宽存储器HBM3E等领域。据悉，SK海力士计划于2023年下半公开具备8Gbps数据传输效能的HBM3E样品，并于2024年正式量产。

SK海力士透过与英特尔的紧密合作，2023年1月率先获得10纳米级第四代（1a）DDR5服务器DRAM的认证，可配合英特尔CPU扩大供应量，在DDR5 DRAM初期市场抢占先机，并计划在1b DRAM延续优势。

不过，三星电子（Samsung Electronics）此前也于2023年5月18日，宣布开始量产第五代10纳米级DDR5 DRAM，预期未来双方将在新一代DRAM领域展开更激烈的竞争。三星表示，第五代10纳米级DDR5 DRAM与上一代产品相比，生产效率约改善20%，功耗改善约23%，支持最高7.2Gbps的传输速度，该产品于2022年完成超微（AMD）平台的兼容性评估。

来源：digitimes