新能源汽车和变频行业高需求助推IGBT高速发展

随着新能源汽车和变频器行业的蓬勃发展，电机电控对IGBT功率器件的需求日益增长；电机控制器作为电动汽车的核心部件，其安全性和可靠性直接影响到整车；而IGBT(即绝缘栅双极型晶体管)的性能则直接会影响电机控制器的性能。

IGBT为垂直导电大功率器件，一种由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件；具有高频率、大电流、高反压等优良特性，是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT是电力电子系统能量控制和转换的重要开关元器件之一，它的性能直接影响着电力电子系统的转换效率、体积和重量；电力电子器件的性能在发展过程中追求着更高的电流密度、更小的通态压降、更低的关断损耗。

由于电动汽车在行驶过程中电机控制器的温升较快，虽然电机控制器具备冷却功能，但是当电动汽车在一些激烈驾驶工况下，如车辆满载状态时在堵转工况和低速爬坡工况时，电机控制器的温度快速上升容易触发IGBT过热报警，进入电机限功率从而停止工作影响车辆的正常使用。并且电机控制器长期过载使用，易导致因电机控制器因过热而使IGBT损坏。因此针对电动汽车的电机控制器实现对IGBT温度的监测和控制则显得十分重要。

IGBT约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率，IGBT的好坏直接影响电动车功率的释放速度。

近年来IGBT各种新工艺、新技术不断的涌现和产生，使IGBT的性能更加完善和优良；IGBT晶圆厚度决定了其器件的耐压水平。

台湾茂矽电子成立于1987年，晶圆制造长期聚焦在功率半导体元件及电源管理IC领域，以MOS管、IGBT，模拟芯片、二极管等产品为主，降低晶圆导通电阻，通过六寸晶圆降低IGBT製造成本并得到较高的良率；打破国外垄断现象。

目前市面上出现的晶圆直径主要是150mm、200mm、300mm，分别对应6英寸、8英寸、12英寸的晶圆；国产芯片在晶圆的产能上，也就是在6寸上有优势；

全球10大8”晶圆厂約有40座,其中33座在亚洲(台湾15座,中國8座)在2019-2021产能仅扩厂5%,仍不足以满足后续电动车与工业控制市场,导致IGBT持续涨价。

由工采网代理的台湾茂矽电子推出的IGBT晶圆是有几款1200V、FS工艺(15A、25A、40A)6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。

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