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来源:集微网发布时间:2023-05-282451浏览
询问 AI
2、上海理工大学在《Nature Materials》上发表研究成果
3、中国科学技术大学大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度
本周消息，京津冀产业协同发展重点任务：瞄准AI、集成电路等前沿领域；湖北发布数字经济高质量发展若干政策措施；斯达半导体重庆车规级模块生产基地项目签约落地；纬创旗下晶杰达B3厂动工；总规模100亿元！高端装备产业基金、科创母基金签约嘉兴；张一鸣在香港成立个人投资基金，或主要投资科技相关行业；武汉江丰电子开业；EUV光刻机光源供应商，通快集团深圳分公司开幕......
热点风向中美商务部长会面，中方就美对华半导体政策等表达重点关切5月25日，商务部部长王文涛在赴美国参加亚太经合组织贸易部长会议期间，在华盛顿会见美国商务部长雷蒙多。双方就中美经贸关系和共同关心的经贸问题进行了坦诚、专业、建设性的交流。中方就美对华经贸政策、半导体政策、出口管制、对外投资审查等表达重点关切。双方同意建立沟通渠道，就具体经贸关切和合作事项保持和加强交流。据新华社25日消息，商务部新闻发言人束珏婷当日在商务部例行新闻发布会上介绍，25日至26日，商务部部长王文涛赴美国参加亚太经合组织贸易部长会议，期间将与美国商务部长雷蒙多、美国贸易代表戴琪分别举行会谈，中方将就中美经贸关系和双方共同关心的问题与美方进行交流。美政府称中方对美光禁令并非基于事实，外交部回应5月24日，外交部发言人毛宁主持例行记者会。针对记者“美国政府表示，中国对美光公司的禁令并不是以事实为依据的，中方对此有何评论？”的提问。毛宁表示，中方有关部门对美光公司在华销售产品的网络安全审查是依法实施的，决定是基于事实作出的。中国的网络安全审查不针对特定国家和地区，我们也不排斥任何国家的技术和产品。美议员呼吁制裁长鑫存储，外交部回应：坚决反对美方无理打压5月24日，外交部例行记者会上有记者提问，美国会众议员加拉格尔称，美国应制裁中国芯片制造商长鑫存储，以回应中方对美光公司的禁令，中方对此有何回应？外交部发言人毛宁表示，中方坚决反对美方泛化国家安全概念，滥用国家力量，无理打压中国企业，这种歧视性、不公平的做法严重损害中美正常的经贸往来和合作，破坏市场规则和国际经贸秩序，严重扰乱全球的产供链稳定。中方将继续采取必要措施，坚决维护中国企业和机构的合法权益。被曝裁员7% 阿里云回应：正常的组织岗位和人员优化5月23日下午，阿里云智能被曝开始进行组织岗位和人员优化，整体比例约7%，补偿标准为N+1+1。5月24日，阿里云方面回应称，系正常的组织岗位和人员优化。阿里云内部人士告诉澎湃新闻记者，阿里云开始进行组织岗位和人员优化，整体比例约7%，补偿标准为N+1+1。该人士称，“每年公司会进行正常的组织岗位和人员优化。此次人员调整的时间为5月份，是在4月底发放完年终奖后启动的，整体优化比例约7%，补偿标准为N+1+1，未休的年假、陪伴假等均可折现。”政策风向京津冀产业协同发展重点任务：瞄准AI、集成电路等前沿领域近日，工业和信息化部会同国务院有关部门联合制定印发了《京津冀产业协同发展实施方案》。就此，工信部就推动京津冀产业协同发展答记者问。根据工信部消息，将着力支持京津冀深入实施先进制造业集群发展专项行动，建立集群跨区域协同培育机制，强化区域联动和政策协同，聚焦集成电路、网络安全、生物医药、电力装备、安全应急装备等重点领域，着力打造世界级先进制造业集群。湖北发布数字经济高质量发展若干政策措施5月5日，湖北省人民政府办公厅印发《湖北省数字经济高质量发展若干政策措施》（以下简称《措施》），提出要加快新型基础设施建设、大力提升数字经济核心产业能级、推进数字经济与实体经济深度融合、大力开展关键技术创新及应用、营造良好发展环境。《措施》提出，加快5G网络建设。支持以5G为代表的“双千兆”网络建设。2023年至2025年对电信服务企业新建5G宏基站超出上一年度总数的部分给予奖励，按每个5G宏基站1万元进行奖补，力争5G基站数量继续保持中部领先、全国靠前。苏州再出新政，人工智能、第三代半导体被划重点5月23日，苏州市人民政府办公室印发《关于进一步支持国家新一代人工智能创新发展试验区、国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）的若干政策》（以下简称《政策》）。《政策》提出10大支持举措，包括支持区域协同联动创新、支持创新载体布局建设、支持创新主体引进培育、支持关键核心技术攻关、支持引进高端人才团队、支持科技公共技术服务平台建设、支持应用示范场景建设、支持创新产品推广应用、强化金融资本支撑保障、支持营造产业创新生态。绍兴发布集成电路产业发展新政，最高3000万元补贴5月18日，绍兴市人民政府办公室印发《绍兴市加快推进集成电路产业发展若干政策》（以下简称《政策》）。《政策》指出，鼓励引进和新建集成电路设计、测试、知识产权、工业设计、工程服务、产业课题等公共服务平台，鼓励高校等企事业单位开展公共实训、技术服务，对新建的专业技术或综合技术服务平台，给予其项目设备自筹投入的20%、不超过1000万元补助。对服务集成电路中小企业超过50家的公共服务平台（机构），按其服务收入的10%，每年给予不超过300万元补助等。项目动态斯达半导体重庆车规级模块生产基地项目签约落地5月18日，中国西部国际投资贸易洽谈会央地合作暨重点项目签约仪式举行。会上，西部（重庆）科学城共计签约项目6个，投资总额273亿元。其中，斯达半导体重庆车规级模块生产基地作为重点项目签约，将在科学城投资建设车规级模块生产基地，实现主控制器用大功率车规级IGBT模块、车规级碳化硅MOSFET模块研发、生产和销售。纬创旗下晶杰达B3厂动工5月22日，纬创资通集团旗下高雄晶杰达光电科技举行B3厂新建工程开工典礼，未来将生产车载、工控等产品，预计2025年完工。报道指出，新厂初期投资额逾100亿元新台币，兴建地上9层，地下2层智慧科技研发创新厂房，建置高阶、全自动化产线，将生产车载、工控、医疗使用的液晶显示面板模块。绿菱电子特气项目在天津经开区试生产近日，天津绿菱气体有限公司绿菱电子研发产业化基地项目在天津经开区南港工业区进入试生产阶段，预计于今年底投产。绿菱电子研发产业化基地是天津经开区重点项目，也是绿菱集团重要生产基地之一，总建设投资3.2亿元。项目全面投产后可年产6000吨、47种电子特种气体产品，服务于半导体集成电路、光伏、光纤等高精尖领域。汉天下射频模块项目签约落户湖州5月18日，浙江省“415X”先进制造业专项基金群启动暨签约仪式举行。会上，湖州产业基金拟投项目苏州汉天下和汉图科技作为浙江省“415X”先进制造业专项基金群储备项目成功签约。湖州产业集团消息显示，苏州汉天下电子有限公司年产2.64亿套移动终端及车规级射频模块项目，该项目总投资约14亿元，用地约49亩，建设形成具备射频滤波器设计、制造、封测为一体的全过程能力基地，项目达产后产值约20亿元/年。企业动态武汉江丰电子开业，服务于京东方、华星光电等5月20日，武汉江丰电子材料有限公司（以下简称“武汉江丰”）举行开业仪式。据悉，武汉江丰成立于2019年11月，是宁波江丰电子材料股份有限公司的全资子公司，主要生产高纯金属平面靶、高纯金属管靶、精密钼零部件，应用于A-si、LTPS、OLED等显示技术，服务于京东方、华星光电、天马集团、惠科集团等企业。EUV光刻机光源供应商，通快集团深圳分公司开幕5月24日，德国通快集团（TRUMPF）宣布其在深圳的分公司成功开幕。据悉，德国通快为ASML的极紫外（EUV）光刻机的“drive laser”唯一供应商。通快集团激光技术首席销售官Thomas Fehn介绍，通快深圳分公司目前主要包含激光应用研发中心、客户服务中心两大功能。深圳分公司将立足粤港澳大湾区，辐射整个华南乃至东南亚市场。总规模100亿元！高端装备产业基金、科创母基金签约嘉兴5月18日，浙江省“415X”先进制造业专项基金群启动暨签约仪式举行，目标总规模超2000亿元的“4+1”专项基金群正式启动。嘉兴将承接浙江省“4+1”基金中的高端装备产业基金、科创母基金，总规模达100亿元。嘉兴发布消息显示，高端装备产业基金总规模为50亿元，突出补链延链强链，进一步加大新材料、光伏、网络通信等新兴产业投入力度，重点投向节能与新能源汽车及零部件产业、机器人与数控机床产业、节能环保与新能源装备产业、智能电气产业等领域；科创母基金总规模50亿元，突出投早、投小、投科技，支持初创期、成长期科技型企业发展。张一鸣在香港成立个人投资基金，或主要投资科技相关行业澎湃新闻报道，字节跳动创始人张一鸣在香港成立了一家个人投资基金。5月24日，据香港公司注册处网站显示，该基金名为Cool River Venture，性质是私人股份有限公司，2023年5月22日生效。基金由张一鸣担任董事，唯一股东为Galaxy LLC，持股比例为100%。澎湃新闻引述知情人士消息，该基金的主要投资方向是科技相关行业，但未披露更多细节。2、上海理工大学在《Nature Materials》上发表研究成果近日，上海理工大学光电学院联合西班牙CIC nano GUNE和复旦大学等单位的研究人员基于性能优化的THz s-SNOM在低对称单斜晶系Ag2Te纳米薄片中首次观测到面内各向异性太赫兹等离激元。该研究成果以“超限域面内各向异性太赫兹声学等离激元的实空间观测”（Real-space observation of ultraconfined in-plane anisotropic acoustic terahertz plasmon polaritons）为题发表在国际顶尖期刊《Nature Materials》（《自然材料》，中科院一区，影响因子47.656）。上海理工大学为第一单位，陈舒特聘教授为论文第一作者。
图1. 低对称Ag2Te薄层晶体中椭球型太赫兹各向异性声学等离激元传播的艺术示意图极化激元（Polaritons）指的是光和物质相互耦合形成的准粒子。其中，最具代表的有由光耦合电子或声子振动形成的等离极化激元（Plasmons Polaritons）或声子极化激元（Phonon Polaritons）。极化激元具有突破光学衍射极限、高度局域光场、显著放大近场等能力，被广泛应用在成像、传感、通讯、能源等研究领域并已取得重要进展。极化激元光学已经发展为当今光物理、凝聚态物理、材料科学、半导体科学、生物化学等多学科交叉的前沿研究领域。近年来，各向异性极化激元被广泛研究，因其方向依赖的传播方式，在光的传播、调控方面具有比各向同性极化激元更高的自由度和产生更为丰富的物理光学现象（如：聚焦、负折射）。自2018年以来，面内各向异性的声子极化激元已经陆续在α-MoO3，α-V2O5，CaCO3以及β-GaO中被观测到。声子极化激元寿命高达数皮秒，具有较长的传播长度，易于从实空间被观测到。值得注意的是，声子极化激元仅存在于横向和纵向光学声子间极窄频段内（即：Reststrahlen band），且多出现在中红外频段。相比于声子极化激元，等离极化激元可以在可见光到太赫兹宽波段内存在。然而，由于等离激元寿命较短（室温下处于亚ps量级），实空间观测面内各向异性的等离激元传播波尚未能实现。尤其在技术日趋重要的太赫兹波段，传播等离激元实空间成像极具挑战性。主要原因一方面等离激元寿命近似为太赫兹光场的一个时间震荡周期；另一方面太赫兹散射式扫描近场光学显微技术（scattering type scanning near-field microscopy, s-SNOM，当前典型的近场探测技术）受太赫兹辐射源、探测器、AFM探针技术等限制，仪器性能远低于技术发展成熟的中红外s-SNOM。研究团队基于性能优化的THz s-SNOM在低对称单斜晶系Ag2Te纳米薄片中首次观测到面内各向异性太赫兹等离激元（图2，3）。通过借助声学模式同时显著提高了等离激元光场压缩能力（高达65倍）和相对传播长度（Lp/λp,Lp为极化激元传播长度，λp为极化激元波长），得以实空间可视化观测椭球极化激元传播波前（图4）。研究团队基于椭球型极化激元进而探索纳米探测材料基本属性（包括：各向异性电子有效质量和损耗因子）新应用。该原创性成果填补了极化激元光学领域空白，对极化激元光学基础和应用研究具有重要指导意义，同时也为太赫兹纳米尺度下基础及应用研究构筑了新平台。
图2. 硅衬底上Ag2Te薄片面内各向异性的太赫兹表面等离激元近场成像
图3. Ag2Te-SiO2-Au异质结中面内各向异性的太赫兹声学等离激元近场成像
图4. 各向异性声学等离激元传播主轴与Ag2Te薄片几何、晶体晶格结构间的关系。3、中国科学技术大学大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度我校郭光灿院士团队在单个碳化硅自旋色心荧光增强的研究中取得新进展。该团队李传锋、许金时等人成功利用表面等离激元大幅增强了单个碳化硅双空位PL6色心的荧光亮度，并利用共面波导的特性大幅提高了自旋操控效率。这项技术成本低、无需复杂的微纳加工工艺，且不影响色心的相干性质，对于发展基于碳化硅自旋色心的量子应用具有重要意义。研究成果5月8日以“Plasmonic-enhanced bright single spin defects in silicon carbide membranes”为题，在线发表在国际知名期刊《Nano Letters》。固态自旋色心是用于量子信息处理的重要体系，其荧光亮度是迈向实用化量子应用的重要参数。通过与固态微纳结构耦合来实现自旋色心的荧光增强是一种常用的方法。人们已经提出并实现了多种不同的方案，包括加工固体浸润透镜、纳米柱、牛眼环、光子晶体微腔和光纤腔等。然而，这一方向依然存在许多具有挑战性的问题需要解决，例如色心自旋性质容易受到复杂微纳加工过程的影响，以及色心与微纳结构之间难以对准等。李传锋、许金时研究组独辟蹊径，利用等离激元实现碳化硅中自旋色心的荧光增强。研究组通过化学机械抛光等工艺制备出厚度约10微米的碳化硅薄膜，并利用离子注入技术在薄膜中制备近表面（约15纳米）的双空位色心。随后将薄膜翻转，利用范德瓦尔斯力将其粘贴在镀有共面金波导的硅片上，由此使得近表面色心与金波导的距离落在表面等离激元的作用范围内，进而增强色心荧光。研究组在之前的工作中首次发现碳化硅中单个双空位PL6色心在室温下具有与金刚石NV色心相媲美的发光亮度和自旋读出对比度[Natl. Sci. Rev. 9, nwab122 (2022)]。在本项工作中，使用数值孔径0.85的物镜，利用表面等离激元的增强效应，实现了单个PL6色心亮度7倍的增强；进一步使用数值孔径1.3的油镜，色心荧光每秒可超过1百万个计数。研究组还利用反应离子刻蚀工艺调控薄膜厚度，从而精确控制近表面色心与共面波导的距离，研究最佳作用范围。除了产生表面等离激元，共面金波导还可用来高效辐射微波，从而大幅提高自旋操控效率。相比传统微波辐射方式，共面波导使单个PL6色心的拉比频率在相同微波功率下提升了14倍。实验装置与结果如图所示。研究组还深入研究了荧光增强机制。通过使用三能级模型拟合自相关函数，以及测量非共振激发荧光寿命，研究组不仅验证了表面等离激元是通过提高色心能级的辐射跃迁速率来增强荧光亮度，而且发现在作用距离逐渐缩小的过程中，表面等离激元的淬灭效应会导致色心荧光亮度发生衰减。
实验装置与结果图。a基于表面等离激元增强的器件示意图；b 存在等离激元增强（左）与无增强（右）区域的共聚焦荧光扫描对比图；c被等离激元增强后的单个PL6色心与块材中未增强的单个PL6色心的饱和荧光计数对比图；d使用金波导和铜导线在不同微波功率下测得的拉比振荡频率对比图。该工作首次实现了碳化硅薄膜中近表面自旋色心荧光的等离激元增强。共面金波导制备简单，无需复杂的增强结构与对准工艺，并且该方法也适用于碳化硅中其他自旋色心的荧光增强。这项技术将有力推动碳化硅材料在量子领域的应用。中科院量子信息重点实验室博士生周继阳为论文第一作者。此项工作得到了科技部、国家自然科学基金委、中国科学院、安徽省和中国科学技术大学的资助。更多新闻请点击进入爱集微小程序阅读
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2026-06-18