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来源:李沛发布时间:2023-05-231885浏览
询问 AI集微网消息,据外媒报道,英特尔公司在日前举行的先进封装主题研讨会中,透露了其导入玻璃载板的计划。
报道称,英特尔此举是对材料进行转换以实现超越现有塑料基板限制的高性能半导体的尝试,它还计划开发一种技术,通过缩小芯片与电路板之间的触点距离来提高芯片性能,并将该技术扩展到下一代产品。
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英特尔方面专家Puya Tadayon表示:“我们会将IC载板改为玻璃材料”,并表示“它具有降低功耗等优势”。
报道介绍,玻璃载板具有平坦的表面并且可以做得很薄,与ABF塑料相比,它的厚度可以减少一半左右,减薄可以提高信号传输速度和功率效率。
专家还谈到,随着三维(3D)封装的普及,厚度是一个更受关注的因素。通过垂直堆叠半导体来提高性能,其关键是减小基板的厚度。这是为了最小化芯片所占用的空间。英特尔有望通过玻璃载板改进3D封装结构。
英特尔还在推进一项技术,该技术可缩短芯片与电路板之间的接触距离(凸点间距)。接触距离越短,封装尺寸越小,因此可以提高性能。英特尔现在已经实现了大约36微米 (㎛) 的凸点间距。这是业内最短的距离。英特尔表示计划明年将其减少到25㎛。
英特尔也在开发混合键合技术。它被命名为Intel Foveros Direct。到目前为止,在堆叠半导体或将它们连接到电路板时一直使用焊球。混合键合则是将具有优良电性能的铜和铜直接连接起来,以减少堆叠间隙,提高信号传输速度。英特尔预测混合键合会将凸点间距减小到10微米以下,最快从今年下半年开始应用到英特尔的制造工艺中。
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