功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产

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当地时间5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，可以满足了运算市场对大规模数据处理的需求。

与上一代产品相较，三星新的12纳米等级DDR5 DRAM的速率达到了7.2Gbps，功耗降低了23%，同时将晶圆的生产效率提高了20%。

此外，出色的电源效率也使其成为那些希望减少服务器和数据中心的能耗及碳足迹的全球IT公司的理想解决方案，以支持包括数据中心、人工智能和下一代运算解决方案在内越来越多的应用。

三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。

据悉，2022年12月，三星成功开发出基于12nm级制程工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与今年5月与AMD完成了兼容性测试。三星表示，这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

资料显示，DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM规范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。

当前，尽管DDR4占据DRAM领域大部分市场份额，但DDR5作为存储领域的新产品，正逐渐成为各大厂商竞逐的焦点。业界认为，近两年将会是DDR5高速发展期，尤其是从今年开始，DDR5渗透率将大幅提升。

TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷表示，随着时间的推移，预计自2023年起，服务器端将逐步导入DDR5，在server新平台的带动下，将会拉高DDR5比重。而随着DDR5的快速普及，未来将有望取代DDR4。集邦咨询认为，DDR5与DDR4成为主流应用的交会点应该在2024年底前或2025年初。

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