三星量产12nm DDR5：功耗骤降23％、量率提高 20%

去年 12 月，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。

不到半年，5月18日，三星电子宣布该款12纳米级DDR5已经量产。

由于采用了新工艺，将具有更高的能源效率和传输速率。与上一代产品相比，三星新的12纳米级DDR5 DRAM的功耗降低了23%，同时将晶圆的利用率提高了20%。

三星之所以能够开发出12纳米级的工艺技术，是因为使用了一种新的高κ材料，有助于提高单元电容。高电容会使数据信号出现明显的电势差，从而更容易准确区分这些信号。公司在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供客户需要的解决方案。

三星的12纳米级DDR5 DRAM阵容拥有每秒7.2Gbps的最高速度，也就是大约一秒钟内可以处理两部30GB UHD电影的速度，这使得它可以支持越来越多的应用，包括数据中心、人工智能和下一代计算。