恩智浦携手台积电 推出首款车用16纳米FinFET MRAM

恩智浦携手台积电推出业界首款车用16纳米FinFET嵌入式MRAM。NXP

恩智浦（NXP）今（16）日宣布与台积电合作，推出业界首款采用16纳米FinFET技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory；MRAM）。

恩智浦指出，MRAM只要约略3秒就能更新20MB的程序码，相较于快闪存储器约需1分钟，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模块编码而造成的瓶颈，此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较快闪存储器和其他新兴存储器技术高出10倍。

软件定义汽车（SDV）让汽车制造商能够透过线空中下载（OTA）进行软件与功能更新，延长车辆使用寿命并提升其功能性、吸引度、与获利能力，随着基于软件的功能在车辆中愈趋普及，更新频率将会增加，MRAM的速度和稳健度变得极为重要。

台积电的16纳米FinFET嵌入式MRAM技术，凭藉其百万周期耐用度、支持焊锡回焊（solder reflow）、以及摄氏150度下还能保留数据达20年等特性，都可符合车载应用严格要求，满足汽车电子实际使用需求。

责任编辑：毛履万亿