普冉半导体：超低功耗NOR Flash助力XR拓展

日前，在“2023松山湖中国IC创新高峰论坛”上，普冉半导体设计中心高级总监冯国友介绍了业界首款1.1V 6.5μJ/Mb超低功耗NOR Flash。

普冉半导体的核心战略分为两大部分，包括存储器以及基于存储器的Memory+，在存储器方面核心产品包括了NOR Flash及EEPROM，Memory+产品则包括了MCU及其他特色模拟衍生芯片。

冯国友表示，普冉的NOR Flash致力于在核心工艺上的领先和突破，开创性采用SONOS电荷俘获技术成就了低功耗的基础。在工艺方面，目前已演进到第二代的40nm。在电压方面，一直与主控芯片相匹配，从1.6-3.6V，到目前的1.05-2.0V。在功耗方面也从1.8V的 16μJ/Mb降低至6.5μJ/Mb。

超低功耗、超低电压的NOR Flash非常适合智能音箱、智能穿戴、耳机等元宇宙的外围设备需求。在开机启动、蓝牙、WiFi、显示、触屏、指纹识别、位置追踪、传感器等方面都可以应用。

如图所示，最新的P25Q32SN与上一代1.8V NOR Flash性能比较。

冯国友介绍道，普冉半导体持续与华力在工艺方面深入合作，改善器件性能。另外也有诸多低电压相关的设计，不断优化功耗及读取速度。

目前，为了快速进入市场，普冉半导体率先推出了最流行的16M、32M以及64M的产品，未来还将规划从4M到256M的全系列产品，以及更丰富的封装形式，以覆盖更多的客户需求。