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来源:KIA半导体发布时间:2023-05-121992浏览
询问 AI鉴于终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，碳化硅凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
与前两代半导体材料相比，以 SiC 与 GaN 为代表的第三代半导体材料具有更宽的禁 带(>2.3eV)、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力。 同时，SiC 材料更有效克服了资源稀缺、毒性、环境污染等问题，在高压、高频、高温、 高功率等领域具有更强的适用性。
在常见平面结构下，对同样1200伏耐压等级的硅基MOS和碳化硅MOS器件做对比可发现，外延层厚度会有明显差距。原因在于，采用碳化硅材料可以令器件每微米耐电压程度比硅基高出10倍，因此碳化硅相关器件外延层只需要硅基器件的1/10，令成本降低，技术参数下降。
以电动汽车的22kW OBC应用为例，碳化硅器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本下降。
碳化硅器件能够带来的不仅是性能改善，更是系统拓扑的革新，令器件数量大大降低，如开关、驱动IC、DCDC功率器件等都能减少一半的数量。这些减少后，就意味着功率器件的设计可以更简洁可靠、成本可控，同时功率密度提升。从而令用户感受到性价比提升。
在能源效率新时代，碳化硅开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大发展空间。
KIA MOS管厂家生产的碳化硅MOSFET-KSZ040N120A、KSZ080N120A拥有卓越的性能和高可靠性，能够在各种应用、环境中高效稳定运行；两款产品主要应用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。
充电桩电源模块中使用KSZ040N120A、KSZ080N120A，可以实现充电桩电源模块的高效化和高功率化，进而实现充电速度的提升和充电成本的降低。
在轨道交通方面使用KSZ040N120A、KSZ080N120A可以大幅提高电力电子装置的功率密度和工作效率，有助于明显减轻轨道交通的载重系统。实现更高的运载效率和降低运营成本。
碳化硅MOS管-KSZ040N120A 60A 1200V产品介绍
特性
RDS（ON）=40mΩ（典型值）@VGS=20V，TJ=25ºC
高阻断电压，低导通电阻
小电容高速开关
雪崩耐量
易于平行和简单的驱动
无卤素，符合RoHS标准
应用
太阳能转化器
高压DC-DC转换器
功率因数校正模块
电动汽车充电
DC-AC逆变器
封装图
参数详情
碳化硅MOS管-KSZ080N120A 28A 1200V产品介绍
特征
RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=20V，TJ=25ºC
高阻断电压和低导通电阻
低电容高速开关
雪崩耐量
应用
太阳能逆变器
开关电源
高压DC-DC变换器
电池充电器
封装图
参数详情
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2026-07-10
5 天前