电源应用MOS管选择，KNX62150A替代STW21N150完美使用

来源:KIA半导体发布时间:2023-02-242337浏览

MOSFET在新能源电动车中的应用

MOSFET具备控制功率小、开关速度快的特点，广泛应用于低中高压的电路中，是功率半导体的基础器件。在如今兴起的新能源电动车中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制，都离不开MOSFET。

其实在进入新能源汽车时代前，MOSFET已应用于燃油车中涉及电动功能的区域，而在传统的燃油车中辅助刹车、助力转向和座椅等控制系统，单车用量约100个。

随汽车电动化开启，MOSFET需求激增。新能源汽车以电制动的方式使得中高压MOEFET作为DC-DC、OBC等电源重要组成部分应用于汽车动力域以完成电能的转换与传输，单车用量提升至200个以上；此外，随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需MOSFET作为电能转换的基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现，使得中高端车型单车用量可增至400个以上。

汽车智能化是中低压MOSFET器件的增量空间，汽车电动化是超结MOSFET等中高压器件的发力方向，这两类都是可易亚半导体生产经营多年的产品。下面介绍一款可应用于新能源汽车电机上的MOS管KNX62150A，可替代ST（意法半导体）STW21N150。

KNX62150A--兼备超结技术优点与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，实现更环保、更安全的电源应用，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。

KNX62150A 1500V 11A超结MOSFET瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。

单位面积同态电阻（Rds(on)）和栅电荷量（Qg）均创市场最低，并拥有业界最佳的FoM（质量因数）。是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振（quasi-resonant）有源钳位反激式转换器以及LLC 半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效（高达96%）以及输出功率近200W的电源。其最大漏源电流达到12A，通态电阻仅为2.4Ω。

KNX62150A产品特征

符合RoHS

RDS（开启），典型值=2.4Ω@VGS=10V

低栅极电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管

KNX62150A产品应用

高压电源

电容器放电

脉冲电路

KNX62150A封装

KNX62150A规格书参数

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