三安、英诺赛科、纳微等云集，PCIM 2023亮点抢先看！
来源:化合物半导体市场发布时间:2023-05-10896浏览
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5月9日，聚焦电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理的2023德国纽伦堡电力电子展PCIM Europe开幕（5/9-11），海内外SiC/GaN第三代半导体厂商汇聚一堂，以最新的技术和产品，向市场展示了SiC、GaN在电动汽车、数据中心、光伏储能、通信基站、工业自动化等高压高功率领域的应用潜力。
国内厂商
本届PCIM展会，多家国内厂商携新品新技术亮相，如英诺赛科、三安半导体、基本半导体、瑞能半导体、芯聚能、致瞻科技、宏微科技等，其中，部分厂商亮点汇总如下：01
英诺赛科
作为全球少数的GaN IDM厂商，英诺赛科带来了晶圆和芯片等多系列产品以及面向消费电子、数据中心、汽车等不同应用的InnoGaN解决方案。GaN晶圆、芯片产品部分，英诺赛科展示了硅基GaN晶圆及高中低压30V-700V GaN芯片，以40V VGaN双向导通系列、SolidGaN半桥合封系列及全新封装Toll/TO等封装新品为重点。据介绍，VGaN系列是行业首创的双向导通产品，采用WLCSP封装，能够实现以一替二（Si），目前，该系列产品已导入到oppo/realme等手机主板，节省手机PCBA空间，降低手机充电温度，实现更高效、更安全的充电方式。其中，采用VGaN的realme GT2手机就在英诺赛科的生活区消费领域展出。GaN消费电子、数据中心、汽车解决方案针对消费电子应用，英诺赛科展示了多款快充产品，除了realme GT2手机，还有安克65W全氮化镓（All-GaN）快充，闪极、倍思、绿联、贝尔金、努比亚等30-65W小体积快充产品，以及30-300W的氮化镓快充及适配器高效方案。此外，消费类产品还包括：200W LED电源，2kW户外储能电源等方案。针对数据中心应用，英诺赛科已开发了全链路的GaN供电解决方案，本次就展出了PSU电源的AC→DC环节的2KW PSU和4KW PFC方案，还有48V→12V环节的420W/600W/1000W 电源模块，以及Oring，Hotswap，Vcore电源等方案。英诺赛科表示，该系列产品可提升供电链路的功率密度和效率，降低50%的系统损耗。针对电动汽车应用，英诺赛科率先在车载激光雷达领域展开布局并开花结果，同步开拓主驱逆变器、DC-DC转换器、OBC等应用场景。本次展会上，英诺赛科便带来采用其100V低压芯片的激光雷达器、2.4 kW 48V双向DCDC电源模块、1kW电机驱动、150W车载/笔电车充等方案，可助力全面降低系统损耗。02
三安半导体
三安半导体本次重点展示“碳化硅(SiC)全产业链体系”的全线产品（覆盖晶锭、衬底、外延、芯片、器件）和“深入行业应用”的新能源汽车、光伏储能、通信基站、数据中心、工业自动化、家用电器、消费类电子功率半导体的解决方案。具体展品如下：
Source：三安半导体
Source：三安半导体
Source：三安半导体
03
基本半导体
基本半导体在本届PCIM Europe上正式发布了第2代SiC MOSFET系列新品，该系列产品基于6英寸晶圆平台进行了自主研发和迭代升级，性能和可靠性得到了大幅度提高，器件开关损耗进一步降低。同步展出的还有SiC晶圆、器件、模块、驱动器和驱动IC等。SiC晶圆、器件晶圆和器件部分展示了SiC MOSFET/SBD晶圆、SiC MOSFET及肖特基二极管器件。
Source：基本半导体
Source：基本半导体
Source：基本半导体
04
瑞能半导体
瑞能半导体本次带来了硅基、SiC功率器件在充电桩、车载充电器的应用及在可再生能源市场的产品突破，具体展品包含SiC器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块等。其中，SiC产品主要介绍两种规格的MOS管。1200V和1700V SiC MOSFETs据介绍，1200V和1700V SiC MOSFETs具备业内领先的FOM（RDS(on)*QG）指数，安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计，同时可以实现更加稳定的导通电阻高温性能。产品采用更高晶胞单位密度的先进工艺和优化的晶胞结构，在导通电阻和栅极电荷特性方面能做到更好的平衡，降低变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。除了上述厂商，芯聚能、致瞻科技、宏微科技等也带来了丰富的SiC器件、模块产品。海外厂商
海外市场方面，第三代半导体主力军几乎无一缺席，Wolfspeed、罗姆、安森美、英飞凌、东芝、纳微半导体、Transphorm、GaN Systems、EPC、CGD等悉数亮相，看点颇多，部分企业的亮点汇总如下：05
纳微
纳微在本届PCIM Europe重点展示了高压高效的GeneSiC™功率产品和集GaN功率器件、传感和控制为一体的GaNFast™功率芯片，展位上划分了电动汽车、太阳能、储能、家电和工业驱动等不同展区。
Source：纳微
Source：纳微
Source：纳微
06
Transphorm
消费电子应用Transphorm重点介绍了WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片，这是其与伟诠电子（Weltrend Semiconductor Inc.）合作开发的首款系统级封装(SiP) GaN电源控制芯片，与伟诠电子的高效、单级65W USB-C PD 3.0 + PPS电源适配器参考设计（内置新型IC）一起展出，峰值功率效率约94%，功率密度达26W/in³。据悉，样品将今年二季度推出。此外，Transphorm展示了GaN器件产品组合，在现有的游戏笔记本电脑充电器中，用Transphorm的GaN FET替代TSMC增强型器件，可显著提升充电器系统的性能。
Source：Transphorm
07
英飞凌、GaN Systems
今年3月，英飞凌宣布将以8.3亿美元收购了GaN芯片头部企业GaN Systems，双方在第三代半导体领域的竞争力和影响力进一步扩大。在本届展会上，英飞凌和GaN Systems均带来了前沿的产品和技术解决方案。英飞凌CoolSiC、CoolGaN解决方案本届PCIM展，英飞凌在第三代半导体领域展示了基于CoolGaN的USB-C适配器和充电器，以及配备CoolGaN SG HEMTs、EiceDRIVER门极驱动IC和XENSIV传感器的电动汽车解决方案。新型芯片技术则包括HybridPACK Drive CoolSiC第二代产品。针对电动汽车应用，英飞凌重点介绍50kW模块化CoolSiC参考设计，用于电动汽车的快速DC充电系统；展位上同步展示了首个壁挂式DC充电桩——alpitronic HYC50双向50kW充电桩。GaN Systems新型GaN OBC参考设计GaN Systems本次重点推出新型11kW/800V GaN参考设计，据称有望改变电动汽车设计的规则。该设计采用三电平飞跨电容型拓扑结构，所用的GaN晶体管将晶体管电压应力降低了一半，使得650V GaN可用于该设计及其他800V应用。与SiC晶体管设计相比，OBC的功率密度提高了36％，BOM成本降低了15％，交流/直流阶段峰值效率>99％，直流/直流阶段峰值效率>98.5％，降低了系统总功耗，同时改善了热性能。
Source：GaN Systems
08
Wolfspeed
Wolfspeed展示了SiC功率模块、模块化评估平台、电机驱动、光伏储能系统等产品和解决方案，重点推出3300V LM SiC半桥功率模块。SiC功率模块Wolfspeed介绍，3300V LM SiC半桥功率模块具备优越的性能，可帮助功率转换系统降低热耗，提高可靠性。这款新型SiC中压模块性能优于Si产品，功耗降低了3倍多，整体系统尺寸减少达40%。
Source：Wolfspeed
Source：Wolfspeed
Source：Wolfspeed
09
罗姆
罗姆在PCIM 2023展会上重点推出电动交通、能源转换应用的高性能SiC和GaN解决方案，主打节能、小型化、功能安全、创新性及可持续性等优点，具体亮点如下：第四代SiC MOS新一代SiC MOS具有超低导通电阻 (RDSon)，并最大程度降低了开关损耗，支持15V和18V栅极源极电压，据说有助于汽车主逆变器和各类开关电源实现超小型设计，降低功耗。罗姆还展出了SCT40xxKW7第四代1200V SiC MOSFETs，相比传统产品，导通电阻降低了40%，开关损耗减少了50%。
Source：罗姆
10
安森美
m安森美此次聚焦三大方向：绿色能源、EliteSiC生态系统、工业革命。EliteSiC系列相关的展品主要介绍充电桩解决方案。AC电动车充电桩主要展示了EliteSiC技术在制造用于从AC电网充电的高效充电解决方案中起到的作用。25kW DC快充评估装备主要展示了安森美的智能电源产品组合如何利用EliteSiC技术实现最高效率。结语：SiC成熟度提升，GaN功率产品商用化提速
通过海内外主要厂商在本届PCIM Europe展会上的呈现可以看到，SiC和GaN技术和性能得到进一步的升级，产品应用边界也在加速拓宽。值得一提的是，厂商的重点也一致落在电动汽车、工业电源、光伏储能等功率半导体解决方案上，传递着SiC、GaN加速向高功率应用领域渗透的积极信号，尤其是GaN。从厂商的亮点产品不难发现，GaN在电动汽车上的应用已经不再是喊口号，一定程度上预示着GaN将在OBC车载充电器等应用场景与SiC正面交锋。不过，SiC今年展现出了更为强劲的发展势头，无论是技术还是产品，成熟度皆有所提升，有望加快渗透更多应用市场。同样引人关注的是，Wolfspeed、罗姆、纳微、安森美、Transphorm、EPC等都将参加相关的专题讨论会、座谈会等。例如，纳微将在PCIM上带来多场精彩演讲，其中，纳微半导体企业营销和投资者关系副总裁Stephen Oliver还将在5月11日带来Reliability and Quality Requirements for SiC and GaN Power Devices的精彩座谈会。SiC、GaN的热度由此也可见一斑，产业难题有望在更多的交流和探讨中进一步取得突破。（文：化合物半导体市场 Jenny）
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