天科合达彭同华：碳化硅材料技术产业现状与新趋势

碳化硅作为宽禁带半导体的重要代表，正在成为制作高性能电力电子器件的理想半导体材料，有数据显示，碳化硅电力电子器件2021-2027年复合年均增长率为34%。碳化硅电力电子器件也已经成为国内外研究和产业化热点。

2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”于长沙开幕。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织。

开幕大会上，北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理彭同华详细分享了碳化硅材料技术产业现状与新趋势，介绍了SiC材料制备工艺流程、SiC晶体生长方法、SiC晶体加工方法，以及6英寸SiC衬底等技术进展。

报告指出，碳化硅衬底材料制备和外延生长关键技术已经全面掌握，能支撑碳化硅器件对材料质量的需求。未来衬底和外延研发将朝着生长速度更快、晶体更厚、尺寸更大、成本更低，技术参数分布区间更窄、均匀性更好等方向发展。近几年随着下游需求的快速增长，碳化硅材料总体呈现供不应求的态势，预计2023年国内6英寸导电衬底（导电型折合）供应量40万片左右。国产碳化硅材料（导电型+半绝缘型）完全能够支撑国内下游的需求。国产碳化硅材料质量获得国外部件厂家认可。

当前，碳化硅材料国产化设备和原材料加速发展，碳化硅材料产业生态正在加速完成。8英寸碳化硅材料发展对新技术、新装备是一个好机遇。单晶生长炉、晶体生长技术、切割技术、衬底磨抛技术、外延生长等方面，新技术、新产品、新装备不断涌现。

天科合达业务涵盖碳化硅单晶生长设备制造，碳化硅原料合成，衬底制备和外延生长，主要产品包括6英寸导电型SiC晶片，6英寸半绝缘型SiC晶片、6英寸SiC晶体、SiC单晶炉。关键核心技术覆盖SiC晶体生产全流程。

对于下一步发展布局，报告中透露，天科合达深圳重投项目预计2023年投产，主要生产衬底和外延。生产衬底的江苏徐州第二期和北京大兴二期，预计将分别于2024年、2025年投产。