直击股东大会｜国博电子：去年营收净利“双增”，防务、民品领域面临较大竞争

集微网消息，5月4日，南京国博电子股份有限公司（证券代码：688375，证券简称：国博电子）召开2022年年度股东大会，就《关于2022年度董事会工作报告的议案》《关于公司与中国电子科技财务有限公司签订<金融服务协议>暨关联交易的议案》《关于2023年度投资计划的议案》等进行审议和投票，爱集微作为其机构股东参加此次股东大会。

国博电子成立于2000年，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品覆盖防务与民用领域，能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品。2022年7月22日，国博电子在上交所上市，公开发行股票4001.00万股，发行价格70.88元/股。

2023年，国博电子拟开展固定资产投资8.29亿元，其中项目类固定资产计划投8.22亿元（续建项目2项），射频集成电路产业化项目、射频芯片和组件产业化项目投资预算分别为5.32亿元、2.90亿元；日常经营固定资产投资 0.07亿元。

“技术研发+市场开拓”，营收超30亿

4月12日，国博电子发布《2022年年度报告》，报告期内营业收入34.61亿元，同比增长37.93%；归属于上市公司股东的净利润5.21亿元，同比增长41.40%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4.95亿元，同比增长41.00%。对于营收情况，国博电子指出，主要系报告期内公司积极开展技术研发和市场开拓，稳妥保障产品生产和供应链安全，使得主营业务收入增加。

图源：国博电子年报

对于主营业务毛利率同比下降情况，国博电子向外界回应：“公司主营业务毛利率大致在29%-35%区间浮动。短期内由于产品结构调整可能会导致毛利率有所降低，整体保持稳定。”

T/R组件领域，国博电子完成各类重点型号T/R组件生产交付，同时面向宽带、高频应用推进新一代产品研制，开展系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制工作，研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用；

射频模块领域，国博电子应用于4G、5G基站的GaN射频模块产品生产能力提升，销售收入实现稳定增长。射频芯片业务：新产品方面，研发的应用于5G基站新一代智能天线的高线性控制器件业务增长迅速，保持射频芯片业务稳定增长；新业务方面，加大通信终端、车载射频产品的研发投入和产品推广。在终端领域，开关、天线调谐器产品量产，多个射频开关被客户引入并批量交付，DiFEM、LFEM产品相关芯片在有序推进，DiFEM相关芯片小规模量产。

当前，国博电子在防务、民品两大领域均面临竞争压力。防务领域随着国家加快军工电子产业发展的一系列政策的实施，未来更多社会资源进入该领域，市场竞争将更充分；而民品领域关注产品性能与成本，国外企业规模较大，国博电子面临竞争压力较大。未来，随着基带芯片厂商进入射频前端领域，该领域的竞争也将更加激烈。

值得一提的是，为保证综合竞争实力，加快推进研发项目实施，国博电子2022年研发费用达3.45亿元，较2021年2.44亿元同比增长达41.38%。

加快推进募投项目，上年末累计投入2.5亿

自成立以来，国博电子承担多项国家防务领域重大科研任务，及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家项目。

根据《南京国博电子股份有限公司首次公开发行股票招股说明书》，其首次公开发行股票所募集的资金扣除发行费用后，将用于射频芯片和组件产业化项目、补充流动资金，总投资额达26.75亿元。

国博电子在年报中指出，拟通过募集资金投资项目的实施，实现产品种类进一步完善、现有产能进一步提升。据悉，射频芯片和组件产业化项目在2022年末累计投入资金2.5亿元，国博电子计划加快推进募投项目实施，争取募投项目早日投产并实现预期效益。

2月22日，国博电子发布公告称，为逐步构建射频集成电路完整产业链，投资建设“射频集成电路产业化项目”。

该项目规划用地总面积约203亩，其中一期征地约103亩，二期征地约100亩，建设中试厂房、芯片厂房、模块厂房以及配套设施等建筑，规划建筑总面积18.34万平方米，并购置工艺设备。目前，项目一期已完成征地103亩，基本完成中试厂房、芯片厂房和模块厂房的建设和工艺设备购置，新增建设面积15.08万平方米。项目二期拟新建两栋厂房、地下室和配套生活设施等共计7.66万平方米。

4月27日，国博电子发布《2023年第一季度报告》，报告期内营业收入6.98亿元，同比增长15.36%；归属于上市公司股东的净利润1.16亿元，同比增长15.53%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.02亿元，同比增长6.95%。（校对/魏健）