三星宣称其3纳米节点的良率已达到60-70%

三星电子正在与台积电就3纳米的芯片制造订单展开激烈的竞争，这是三星电子在基于FinFET的节点近十年后，首次采用GAA-FET技术的半导体代工节点。3纳米GAA-FET节点SF3将在今年晚些时候进入大规模生产。

三星声称，在该节点的开发阶段，晶圆产量在60-70%之间。这个数字对于吸引客户至关重要，因为他们的晶圆订单首先是基于产量，其次才是每片晶圆的成本。

在2022年关于其工程部门向客户"编造"良率数字以赢得他们的业务的争议之后，三星正试图在芯片设计者中重建信心。

三星还表示，由于2023-2024年将由3纳米级节点，即SF3（3GAP）及其改进版SF3P（3GAP+）主导，该公司将在2025-2026年开始引入其2纳米级节点。

目前、三星的3纳米节点的客户包括未命名的HPC处理器设计者和一个移动AP（应用处理器）设计者。