TNSC宣布肼（N2H4）材料变化

公司将销售低水分版本的RASIRC无水肼材料

日本酸素控股株式会社（TNSC）宣布将销售 RASIRC 无水肼材料 BRUTE-Hydrazine 的低水分含量版本。

半导体制造过程中，水分等杂质的污染会对半导体晶体质量和电气特性产生负面影响，进而影响器件特性和产品良率。为了解决这些问题，RASIRC通过改进纯化技术，成功地将BRUTE-Hydrazine气相中的水浓度从传统产品的十分之一降低到百分之一。

历史上，金属氮化物MOCVD和ALD薄膜是用氨（NH3）作为常见的氮化源来制造的。但是肼（N2H4）更具反应性，并降低了沉积过程的温度，从而提高了沉积速率和电气性能。例如，III-V族氮化物器件需要更具活性的氮源来降低沉积温度并提高成分稳定性。

此外，肼不仅可以用作薄膜沉积的氮化源，还可以利用其优异的还原性能，用于表面清洁和薄膜改性。

展望未来，TNSC表示将扩大BRUTE-Hydrazine的销售，主要用于半导体制造工艺。使用BRUTE-Hydrazine通过ALD沉积的SiN薄膜的结果将在西雅图举行的第23届国际原子层沉积会议（ALD/ALD 2023）上报告。

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、化合物半导体先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“化合物半导体先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2