安世半导体发布650V碳化硅二极管

合并的PiN肖特基结构提供高鲁棒性和高效率

安世半导体（Nexperia）推出了一款650 V SiC肖特基二极管，专为需要超高性能、低损耗和高效率的电源应用而设计。

10 A、650 V SiC 肖特基二极管是一款工业级器件，旨在应对要求苛刻的高电压和高电流应用的挑战。其中包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器。

据称 ，SC1065K具有与温度无关的电容性开关和零恢复行为的领先性能，具有高品质因数 （QC x VF）。据安世半导体称，其开关性能几乎完全不受电流和开关速度变化的影响。

PSC1065K 的合并 PiN 肖特基 （MPS） 结构提供了额外的优势，例如抗浪涌电流的稳健性，无需额外的保护电路。这些特性降低了系统复杂性，使硬件设计人员能够在坚固耐用的高功率应用中以更小的外形尺寸实现更高的效率。

SiC 肖特基二极管封装在Real-2-Pin（R2P）TO-220-2 通孔功率塑料封装中。其他封装选项包括表面贴装（DPAK R2P 和 D2PAK R2P）和通孔（TO-247-2），采用真正 2引脚配置，可在温度高达 175 °C 的高压应用中提高可靠性。

安世半导体表示，计划在其SiC二极管系列中增加汽车级器件，这些器件的工作电压为650 V和1200 V，电流范围为6-20 A。新型SiC二极管现已可提供样品和产量。

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、化合物半导体先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“化合物半导体先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2