华芯微特 | MCU之SDRAM参数配置

本公司目前MCU系列，到目前为止, SWM34x 支持外接8M\16M SDRAM，SWD34S系列已经把SDRAM合封入芯片，合封的SDRAM大小根据芯片型号不同，具体见官方手册。

在SDRAM使用过程中，需要对SDRAMC控制的各个参数进行配置，具体参数如下表格，不同系列芯片参数稍微有点区别，但是配置原理一样。下面以SWM34x SDRAM_CTRL控制器外接Winbond W9812G6KH-6为例进行参数配置说明。

表一 MCU端需要配置的参数

以SWM34x 为例

分别说明表一中各项参数的计算方法

1、Bank:指的是SDRAM分了几个块，这个在SDRAM芯片手册里面有说明，如W9812G6KH-6文档中列明Bank等于4

如下图

2. RowAddr:SDRAM中每个bank单元每一页的地址，如W9812G6KH-6 一个Bank有4096个页，所以页地址占用12bit，故RowAddr=12。

3.ColAddr:SDRAM中每个Bank单元每一页中每一行的地址，如W9812G6KH-6 一个Bank有4096个页，每页有512行，所以行地址暂用9bit，故ColAddr=9，根据寄存器规范，PageSize需设置为0x001

图下图

4. RR: SDRAM的REFRESH_RATE，即刷新频率，根据W9812G6KH-6芯片手册，刷新周期为64mS,在150M时钟下,则一个clk=6.67nS, RR的计算公式为64000000(nS)/4096(页数量)/6.67nS(每一个clk的时间)=需要的clk数量。所以RR=0x926.

5. RFC（从刷新或加载模式到刷新或激活的最小CLK周期数）: SDRAM的手册有列明参数最小值，以W9812G6KH-6芯片手册为例，RFC最小值为60nS（图3）, 在MCU工作在150M时钟下，转换成寄存器值：RFC=60ns/6.67=8，即可得SDRAM需要的最小值8（图4）。

（图3）

（图4）

6.RP（从预充电到激活或刷新的最小CLK周期数）:SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RP=15nS，MCU端计算RP方法为RP=15nS/6.67=2.

7. RCD（从激活到读取或写入的最小CLK周期数）：SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RCD=15nS, MCU端计算RCD方法为RCD=15nS/6.67=2.

8.WR(从上次写入传输到预充电的最小CLK周期数): 固定为2.

9.RAS(从激活到预充电的最小CLK周期数): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RCD=42nS, MCU端计算RAS方法为RAS=42nS/6.67=6.

10.RC(从激活到激活的最小CLK周期数): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RC=60nS, MCU端计算RC方法为RC=60nS/6.67=8. 如下图

11.RRD(对于不同的bank,从激活到激活的最小CLK周期数):SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RRD=12nS, MCU端计算RRD方法为RRD=12nS/6.67=1.

12.XS(从自刷新退出到发出任何命令的最小CLK周期数减1): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RRD=72nS, MCU端计算XS方法为XS=72nS/6.67=10.

13.CASLatency:等于3或者2.

14.RD_Delay: 等于CASLatency、或等于CASLatency+1.

实际应用

如果SWM34x 系统频率为150M，则SDRAM控制器读写W9812G6KH-6(16M SDRAM)，各项参数配置如下：

SDRAM_InitStruct.ClkDiv = SDRAM_CLKDIV_1;

SDRAM_InitStruct.NbrBank = 2;//SDRAM_BANK_4

SDRAM_InitStruct.NbrRowAddr = 12;//SDRAM_ROW_12

SDRAM_InitStruct.NbrColAddr = 1;//SDRAM_COLUMN_9

SDRAM_InitStruct.CASLatency =3;//SDRAM_CASLATENCY_3

SDRAM_InitStruct.TimeTRC =8 ;

SDRAM_InitStruct.TimeTRRD = 1;

SDRAM_InitStruct.TimeTRCD = 2;

SDRAM_InitStruct.TimeTRAS = 6;

SDRAM_InitStruct.TimeTRP = 2;

SDRAM_InitStruct.TimeRFC =8;

SDRAM_InitStruct.TimeTXS=10;

SDRAMC->T64 = 0x926;

SDRAMC->RDDELAY = SDRAM_InitStruct.CASLatency+1;

（以上只介绍了配置方法，部分参数并没有完全配对，需要修改验证）

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