铠侠西数宣布推出218层3D NAND

近日，存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存。据铠侠首席技术官Masaki Momodomi介绍，公司与西数成功推出了目前具有业界最高位密度的第八代BiCS闪存，现已开始为部分客户提供样品。

此次西部数据联合铠侠推出的218层3D NAND闪存产品利用具有四个平面的1Tb三级单元 (TLC) 和四级单元 (QLC)，采用横向收缩技术，可将位密度提高约50%。同时，其NAND I/O速度超过3.2Gb/s，比上一代产品提高了约60%，此外，其写入性能和读取延迟则改善了20%。

铠侠和西数表示，该产品采用先进的缩放和晶圆键合技术，可以满足广泛市场领域呈指数级增长的数据需求，包括智能手机、物联网设备和数据中心等。

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