超千亿韩元投资，三星加速进军SiC产业

据韩媒报道，三星电子正在加速进军下一代功率半导体市场，在组建与SiC和GaN器件开发相关的功率半导体TF后，目前正积极投资研发和原型生产所需的设施。

报道称，三星电子正试图引进更先进的8英寸碳化硅工艺设备。据了解，迄今为止完成的投资约在1000亿至2000亿韩元（6-12亿人民币）之间。投资规模足以实现原型的量产，而不仅仅是简单的工艺开发。

与硅基半导体相比，SiC 半导体具有优越的高压和高温性能。作为用于电气设备、可再生能源和工业用途的半导体器件，它备受关注。开发用于电动汽车电子产品电源管理的半导体器件也很活跃。该市场目前由德国、美国和日本的半导体公司主导。

根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。

与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

事实上，韩国早在2000年就开始布局第三代半导体产业。近年来不断加大力度，频频发力。政策利好，企业扩产收购不断。

2000年韩国制订了GaN开发计划，政府在2004~2008年投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元以支持韩国进行光电子产业发展，使韩国成为亚洲最大的光电子器件生产国。

2009年韩国发布《绿色成长国家战略》，全力发展环保节能产业，并致力于使得该产业成为韩国经济增长的主要动力之一。

2010—2012年间投入约4500万美金以推动MOCVD机台实现国产化、引进制程自动化系统并开发高速封装、监测设备。

2016年，韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国家项目，同时重点围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质量SiC单晶生长、高质量SiC外延材料生长4个方向，开展了国家研发项目。

2017年，韩国产业通商资源部（MOTIE）举办研讨会，为了强化系统半导体的竞争力，产、官、学三界联手投资4645亿韩元（4.15亿美元），开发低能源、超轻量和超高速的半导体芯片。

这当中1326亿韩元用于开发先进超轻量传感器、837亿韩元投入低耗能的SiC功率半导体，47亿韩元投资超高速存储器和系统整合设计技术。

2021年，韩国政府对第三代半导体的发展越来越重视。韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划，计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平，以便到那一年韩国至少有5种先进的功率半导体产品上市。

同时，韩国宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC（艾尔福）被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证，韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。

2022年，韩国推出其由国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”。以开发新一代功率半导体，应对碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 和氧化镓 (Ga203) 等快速增长的全球功率半导体市场。

其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半导体公司将参与材料、零件、设备的功率半导体开发。

LX Semicon将开发SiC半导体，SK siltron将负责SiC衬底。Hana Materials和STI将开发SiC半导体零件和设备技术。光云大学、嘉泉大学和国民大学将支持SiC半导体研发基础设施，国立纳米材料研究所和韩国陶瓷工程技术研究所将提供技术支持。

目前，在全球第三代半导体的争夺战中，韩国正在向欧美日巨头发起冲击。（文：化合物半导体市场 Doris整理）

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