斥资1000亿日元！三菱电机拟新建8英寸碳化硅晶圆厂，以推动碳化硅功率半导体业务

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1，斥资1000亿日元！三菱电机拟新建8英寸碳化硅晶圆厂，以推动碳化硅功率半导体业务三菱电机宣布计划建立一个新的晶圆工厂，以增加SiC功率半导体的产量。该公司正在应对电动汽车对SiC芯片日益增长的需求，以及需要低能量损耗、高温操作或高速开关的应用市场的扩大。新的8英寸SiC晶圆厂渲染图
这一宣布意味着该公司现在将在截至2026年3月的五年内投资约20亿美元（2600亿日元），这是其之前宣布的投资计划的两倍。7.56亿美元（1000亿日元）将用于建设一个新的8英寸SiC晶圆厂并加强相关生产设施。
新工厂将纳入熊本县（Kumamoto Prefecture）紫水（Shisui）区的一家工厂，生产大直径8英寸SiC晶圆，引进具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的洁净室。此外，该公司还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。
三菱还将投资约7500万美元（100亿日元）建设一个新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检测。该公司表示，设计，开发和生产技术验证的整合将大大增强公司的开发能力，并有助于及时批量生产以响应市场需求。
剩余的1.5亿美元（200亿日元）全部是新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。(来源：Carbontech)
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2，总投资不少于3亿元，韩国荣达半导体项目落地西安高新区

3月22日，西安高新区与韩国荣达半导体有限公司（以下简称“韩国荣达”）举行签约仪式，由韩国荣达投资设立全资子公司荣达材料（西安）有限公司建设的荣达核心精密零部件制造项目落地西安高新区。

荣达核心精密零部件制造项目签约即开工，将主要生产先进半导体核心精密蚀刻用硅电极、绝缘部件和导热部件、射频发射器零部件、密封圈等耗材。项目总投资不少于3亿元，将分两期进行建设，其中一期主要建设半导体硅类耗材产品研发及生产测试线，将于今年10月竣工投产；二期项目将建设半导体硅类耗材产品研发生产基地，预计2025年建成投产。

西安高新消息称，韩国荣达业务涉及半导体设备、耗材备件、核心零部件等领域，在美国、新加坡、中国成都等地均有布局，向国内外多家半导体公司长期供货。（来源：爱集微）

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