英诺赛科发布两款40V VGaN新品，均采用WLCSP封装

在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳定性与大功率充电持续时间。

氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频高效、低导阻等优越特性，应用于手机主板也具备极大优势。

Source：英诺赛科

2022年，英诺赛科开创了氮化镓 40V 器件平台，并率先将双向导通 VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）产品成功导入Oppo、Realme 手机主板内部，实现体积减少64%，峰值功率发热降低85%等优越性能表现，获得了良好的市场反馈。基于40V 平台的迭代与升级，近期，英诺赛科 VGaN 家族迎来了两名新成员：INN040W080A、INN040W120A。

产品特性：

• 支持双向导通，无反向恢复

• 40V/8mΩ 超低导通电阻

• 1.7mmx1.7mm WLCSP封装

  ，寄生参数小

  
  

  
  

应用领域：

• 高侧负载开关

• 智能手机USB端口中的OVP保护

• 多电源系统中的开关电路

产品特性：

• 支持双向导通，无反向恢复

  
  

• 40V/12mΩ 超低导通电阻

• 1.7mmx1.7mm WLCSP封装，寄生参数小

  
  

应用领域：

• 高侧负载开关

• 智能手机USB端口中的OVP保护

• 多电源系统中的开关电路

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  仅使用1颗VGaN 就能替代传统共漏连接的背靠背NMOS，实现更低导通损耗的手机电池充、放电功能，并节省手机内部宝贵的空间；

  
  

  
  

• 降低手机在充电过程中的温升，在快速充电时可以保持比较舒适的机身温度，延长电池使用时间，为用户提供良好的充电体验；

  
  

• 使氮化镓在更高功率的快充场景中具备竞争力，实现手机内部GaN芯片“零” 的突破。
  

  
  

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