台积电3纳米“拉跨”，苹果A17性能被高估！

据外媒 NotebookCheck 报道，过去几周，互联网上一直流传着明年的旗舰移动 AP（Apple A17 Bionic和 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3）的暂定性能数据。不出所料，前者将击败后者，除了苹果出色的设计能力外，主要是因为它采用台积电的尖端 3 纳米工艺制造。相比之下，据传后者继续使用 5 纳米衍生产品 (N4P)。然而，泄露 A17 Bionic Geekbench 分数的@tech_reve 现在修改了他们最初的说法。

A17 Bionic 最终性能或许没有传闻厉害，性能提升幅度不会超过 20%。

这与台积电N3B制程不能按计划进行有关，由于FinFET的问题，良率没有那么好，使苹果降低性能目标。有消息称，FinFET不太适应4纳米以下晶体管架构，可能是使台积电改变的关键。照台积电规划，要到下一代2纳米制程才会改成Gate-all-aroundFETs（GAAFET）架构。

虽然受制程影响，不过以苹果芯片设计功力，相信A17 Bionic表现还是让人满意。有消息指高通Snapdragon 8 Gen 3处理器性能提升幅度不小，甚至可能超出不少人预期，或许也有给苹果压力。

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