曾任尔必达存储器公司社长的坂本幸雄。日前接受日本经济新闻采访时谈到了中国半导体产业差距。
谈到中国半导体产业的实力时，坂本幸雄认为，中国占世界半导体生产的份额为15％。不过，其中美国英特尔等外资企业占6成，而中国企业的份额仅为4成。中国半导体产业在从零开始创造价值的研发方面缺乏经验。 坂本幸雄认为，在DRAM领域处于中国顶尖水平的长鑫存储技术（CXMT）与三星相比落后4代左右。而在NAND闪存领域，据称中国顶尖的长江存储科技（YMTC）将启动（存储元件为）128层的量产，虽已启动192层的试生产，但制造的数量过少，达不到讨论竞争力的水平。 在谈到中芯国际时， 坂本幸雄表示中芯国际是中国最顶尖的半导体制造商，但产品的最细电路线宽也只是14纳米，这已是7、8年前的技术。世界顶尖的台积电正在开发2纳米的产品，差距并未缩小。中芯国际以工序管理的工程师为中心，或许难以推进新技术的开发。由于美国的制裁，还难以引进尖端的生产设备，无法涉足价值巨大的处理器（运算处理装置）的尖端领域。经营资源完全被用于增加14纳米以上的产能，如果缺乏在3～4年后追上台积电等龙头企业的决心，差距会不断扩大。 
