三菱将建设碳化硅晶圆厂

公司将应对电动汽车和其他低能量损耗应用对SiC功率半导体的快速增长的需求

三菱电机宣布计划建立一个新的晶圆工厂，以增加SiC功率半导体的产量。该公司正在应对电动汽车对SiC芯片日益增长的需求，以及需要低能量损耗、高温操作或高速开关的应用市场的扩大。

这一宣布意味着该公司现在将在截至2026年3月的五年内投资约20亿美元（2600亿日元），这是其之前宣布的投资计划的两倍。7.56亿美元（1000亿日元）将用于建设一个新的8英寸SiC晶圆厂并加强相关生产设施。

新工厂将纳入熊本县（Kumamoto Prefecture）紫水（Shisui）区的一家工厂，生产大直径8英寸SiC晶圆，引进具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的洁净室。此外，该公司还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。

三菱还将投资约7500万美元（100亿日元）建设一个新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检测。该公司表示，设计，开发和生产技术验证的整合将大大增强公司的开发能力，并有助于及时批量生产以响应市场需求。

剩余的1.5亿美元（200亿日元）全部是新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。