新突破！国产8英寸SiC外延片亮相！

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前两天，盛新材料成功产出了台湾省首片8英寸SiC衬底（.点这里.）；而今天，我国的SiC外延片也实现了8英寸的突破——厦门大学成功实现了8英寸 SiC 同质外延生长。

厦门大学

国产8吋SiC外延片亮相

近日，据“第三代半导体产业“消息，厦门大学成功实现了8英寸碳化硅同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构；同时标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延生长的相关技术。

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据悉，该外延层厚度为12 um，厚度不均匀性为2.3 %；掺杂浓度为8.4×10¹⁵ cmˉ³，掺杂浓度不均匀性＜7.5 %；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜ 0.5 cmˉ²。

厦门大学科研团队负责人表示，该技术的实现是厦门大学与瀚天天成等单位产学研合作的成果，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。

昭和电工、东莞天域

8吋SiC外延片相关进展

除了厦门大学外，昭和电工与东莞天域在8英寸碳化硅外延片上也早有进展：

●昭和电工8英寸SiC外延片开始供样

2022年9月，昭和电工宣布，他们已成功产出8英寸SiC外延片，并开始提供样品，采用的是自产的8英寸SiC衬底。

目前，昭和电工SiC外延片市场占有率居世界第一，并且一直致力于使用本公司的衬底进行产品开发，旨在扩大200mm SiC外延片的生产，建立稳定的供应体系，进一步提高产品质量。

●天域半导体建设全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线

2022年4月，松山湖管委会官网公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》征求意见稿。拟征收地块面积6.316公顷，合计94.7亩，以建设天域半导体碳化硅外延材料研发及产业化项目——碳化硅外延关键技术的研发及全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线的建设。

项目主要内容为新增产能达100万片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生产线；8英寸碳化硅外延晶片产业化关键技术的研发；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生产和销售。项目计划2022年动工，预计2025年竣工并投产。

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