【竞局】3D DRAM技术布局预赛 三星、SK海力士专利数落后美光

近期三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）开始加速3D DRAM研发脚步，不过韩国业界担忧，相较及早投入3D DRAM的美光（Micron），韩国业者目前在专利数量上较为落后，若不积极备战新一代DRAM市场，当前掌握的技术主导权，恐在一夕之间翻盘。

据了解，三星半导体研究所工艺研发室长李锺明（音译），于2023年3月举办的“IEEE EDTM 2023”上表示，已将3D堆栈的DRAM等选为未来技术。SK海力士未来技术研究院负责人车善龙也曾表示，将于2024年揭露3D DRAM的具体细项，并决定研发方向。

当前存储器业者针对DRAM产品研发，主要投入减少电路线宽、提高集积度等，但随着电路线宽进入10纳米级，电流泄漏等技术问题开始显现。虽然各业者透过引进高介电率（High K）沉积物质、极紫外光（EUV）等新材料及设备加以应对，但业界普遍认为，电路线宽要缩减至10纳米以下并不容易……相关文章，请上DIGITIMES官网。