罗姆确立新技术，更好地激发GaN等高速开关器件性能

近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

Source：罗姆

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。

在这种背景下，罗姆进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，罗姆正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与罗姆的“EcoGaN™系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

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