氧化镓材料与功率器件的研究进展

来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2023-03-131305浏览

氧化镓（Ga2O3）以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。西安电子科技大学微电子学院何云龙、郑雪峰教授团队针对Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。