先进的DUV光刻机，ASML也不卖给中国了，我们还能制造几纳米芯片?

近日，全球最牛的光刻机厂商ASML通过官网发布了关于光刻机管制的一些细节。

其中ASML明确指出，TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸没式光刻系统，已经不能出口到中国了，而TWINSCAN NXT：2000i之前的光刻机不受影响。

这意味着除了EUV光刻机外，以前不受限的DUV光刻机，也受到限制了。

浸润式光刻机是什么光刻机？还是采用193nm光源的光刻机，但浸润式的光刻机，在硅晶圆上，会加一层水作为介质，而193nm的光源，经过水之后，会进和地折射，然后就等效于134nm的光源，这样精度更高。

所以这种浸润式光刻机，可以被用于45-7nm先进制程芯片的制造，当然主要还是用于14-45nm工艺，在7nm工艺时，更多还是用EUV光刻机。

目前ASML浸润式的光刻机主要有三种型号，分别是TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。

前面两种是先进的，买不到了，中国还能买到的浸润式光刻机，只有TWINSCAN NXT:1980Di，这也应该是接下来很长一段时间内，中国能够买的最先进的光刻机了。

那么问题来了，买了这一台光刻机后，我们能够用它来制造几纳米的芯片？

据官网的数据，TWINSCAN NXT:1980Di的分辨率是大于等于38nm,数值孔径是1.35NA，每小时可以生产275片晶圆。

那么是不是意味着它能生产的芯片最高是38nm？并不是的，事实上通过多重曝光，依然可以支持到7nm左右。只不过，这样步骤更为复杂，良率可能会很低，导致成本过高，一般的晶圆厂不会这么干。

目前这台浸润式光刻机，普遍用于14nm及以上的芯片制造，很少用于14nm以下的芯片制造，但逼到极限了，也是能使用在14nm以下的。

另外，既然只能买到这样的光刻机，那么我们能不能不买这个，就用国产的算了？

那肯定也是不行的，目前国产的光刻机，最先进的是上海微电子的SSA600/20，其分辨率是90nm，较TWINSCAN NXT:1980Di的38nm，还相差很远。

这台SSA600/20据称最多只能达到45nm制程，所以还是需要进口ASML的TWINSCAN NXT:1980Di。

只是目前形势已经非常严峻了，毕竟DUV也开始被限了，要是接下来连TWINSCAN NXT:1980Di也不卖了，只能买到干式光刻机，那问题就真的严重了，连成熟工艺都会受影响了，所以国产光刻机，真的要加油，否则后果真的会非常严重。

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