与汉磊签下长约！这家企业SiC MOS要发力

插播：5月30日，汽车与工业SiC大会将在上海举办👉（.点这里.）

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行家说三代半：过去一年，贵公司布局了哪些关键性工作，取得了哪些成绩呢？

我们在6月和9月份，分别发布了硅基MCR，碳化硅基第一代EJBS和MOSFET新品，完成了SiCEJBS和MOSFET从4英寸平台向6英寸平台的转移和稳定量产；8月，顺利完成Pre-A轮融资；11月，成功获批高新技术企业，赴深圳参加慕尼黑华南电子展，并设立深圳、苏州办事处；年底，位于电子科大科技园内的总部新址落成交付，建筑面积超千平方米，配备测试实验室、可靠性实验室、失效分析实验室、应用实验室和晶圆无尘洁净实验室，能够为产品研发和设计提供强有力支持，成为我们今后深耕技术、面向市场的全新起点。

针对光伏逆变应用领域对碳化硅二极管抗浪涌电流能力极高的要求标准，蓉矽半导体设计开发的1200V/20A NovuSiC®EJBS™碳化硅二极管，拥有11倍以上的抗浪涌电流能力，可承受288W功率，最大26A电流，并且在20A时，VF仅有1.37V，且漏电极低(2μA)。相较国内外竞品，NovuSiC®EJBS™在导通压降、反向漏电及温度稳定性等方面均性能优越，可以真正实现国产替代。

年初，我们即与台湾汉磊科技签订了长期战略合作协议，蓉矽半导体代工产品优先级被列为第一等级，加强了供应链保障；1200V 40mΩ/12mΩ SiC MOSFET实现量产，可以稳定交付；Trench MOSFET已成功获批国内专利，欧、美、日国际专利正在申请中，并将继续围绕其进行技术储备；NovuSiC®MOSFET G2将完成可靠性考核与验证，产品性能将超越国际一线最新一代产品；启动Trench结构的MOSFET G3设计与流片，产品朝着平面结构和沟槽结构双系列并进。

此外，我们还将在2023年赴日本参加NEPCON国际电子展，把握行业发展趋势和规律，展示我们最新的碳化硅功率器件和高效的功率器件解决方案，提高蓉矽半导体在国际市场上的知名度和竞争力。

一是SiC衬底向8英寸迈进。这是直接由下游需求带动起来的，因为更大尺寸衬底就意味着更低的单个器件衬底成本，成为国际上的发展趋势。

二是SiC功率芯片，尤其是SiCMOSFET供应短缺严重。这一方面源自SiC衬底外延供应不足，晶圆流片周期长，晶圆厂产能爬升缓慢与日渐扩张的需求之间的尖锐矛盾，一方面也与国际形势息息相关，尤其是美国《芯片法案》对国内半导体产业的负面影响。

三是围绕新能源汽车应用市场空间已打开，但SiC芯片供应缺口较大。据中国汽车工业协会，2022年我国新能源汽车销量为688.7万辆，市场规模全球领先，各大车企也在不断推出配备碳化硅功率器件的车型。与此相对应的，是800V平台成为重点开发方向。但适配800V平台功率要求的SiC面临产能受限和价格偏高等因素的限制，国产SiC器件在高可靠性上仍需努力，这些都是碳化硅行业在接下来需要直接面对的风险与挑战。

针对芯片供应紧张的局面，蓉矽半导体一方面持续加强产品研发和优化力度，同时与台湾汉磊科技成为长期战略合作伙伴，不断加强供应链保障，从而得以满足日益增长的市场需求，为客户创造更多价值。

随着Pre-A轮融资的顺利完成，我们将在2023年开展新一轮融资，进一步提高产品研发投入和供应链保障力度，积极对接新能源车企，力争实现突破。