这个GaN项目开始试产，年产能3万片

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3月6日，浙江一个氮化镓项目宣布开工（.点这里.）；同日，位于辽宁盘锦的氮化镓外延片项目也传来了新进展，即将实现月产2500片的产能。

据“行家说三代半”不完全统计，2023年以来，国内共有5个GaN项目信息披露，详细清单附在文末。

百思特达半导体：

GaN外延片项目试生产

3月6日，据盘锦日报消息，辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2吋4吋外延片处于试生产和产品认证阶段，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。

据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。

2019年11月，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。

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1-3月还有5个GaN项目

累计投资金额超70亿

据“行家说三代半”不完全统计，今年1-3月，国内还有5个氮化镓项目公开信息披露，累计投资金额超70亿。

●3月6日，博康半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，总投资约6亿元，预计年产3000片氮化镓射频功率芯片。

●2月16日，东科半导体表示，旗下总投资5.5亿元的“超高频氮化镓电源管理芯片项目”已竣工，正在进行厂房装修和生产线调试，预计4月底投产。该项目项目占地52亩，新建厂房5.1万平米，主要从事氮化镓超高频AC/DC 电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。

●1月11日，仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目正式开工。该项目总投资5亿元，建成后可实现年产3000万颗工业级IPM产品、1000万颗汽车级IPM产品、1000万颗氮化镓芯片封装产能，预计全部投产后年销售收入可达12亿元。

●1月10日，中铁建工集团旗下“中国电科射频集成电路产业化项目”已经建成完工，该项目总投资超过30亿元，建成后将形成年均5亿只射频集成电路，6万片4～6英寸氮化镓射频功率器件，1000万只射频模块的设计、生产、测试能力。

●1月5日，江西省上饶市万年县人民政府与上海格晶半导体就氮化镓第三代半导体产业化项目进行了签约。该项目总投资达25亿元，项目投产后可实现年产5万片8吋GaN功率器件，成为江西省第一家，中国第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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