约6亿元博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工

据国家级嘉兴经济技术开发区消息，3月6日，博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工仪式在嘉兴经开区城南街道工业园区举行。项目瞄准第三代半导体新材料领域，将为卡脖子难题提供更多解决方案。

消息显示，此次开工的博康（嘉兴）半导体科技有限公司（简称“博康半导体”）氮化镓射频功率芯片先导线项目占地面积46667平方米，总投资额约6亿元人民币。其中一期用地约33200平方米。项目集产品研发、生产、销售等功能为一体，将进一步加快开发区电子信息产业集聚，为经开区智造创新强区、经济高质量发展提供有力支撑。

据官网介绍，博康半导体成立于2022年，致力成为国内领先的化合物半导体制造服务商，覆盖电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用，为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域提供高能效的半导体产品及解决方案。博康半导体一期主营4英寸氮化镓（GaN）射频芯片、功放管，形成从GaN管芯到GaN氮化镓功放管的系列化产品平台，满足客户多元化的应用场景需求。二期将拓展到6英寸砷化镓（GaAs）射频芯片产品。

封面图片来源：拍信网