美要全面断供芯片，国产芯片发展到哪一步了？官方正式给出定调

美计划全面断供芯片、半导体设备，一旦这样的情况发生，国产芯片发展到哪一步，这是很多人都关心的问题。

要知道，美已经多次修改规则，导致台积电、高通、ASML等无法自由出货，华为自研的麒麟9000等先进无法制造，只能用高通的4G芯片。

梁孟松也曾表示，已经完成7nm工艺的研发任务，5nm工艺最艰难的工作也已经展开，就等EUV光刻机到货了。

如今，美不仅计划限制高通、英特尔等向华为出货4G芯片，并要求美半导体企业，在没有新的许可前，不能自由出货。

美日荷还达成三方协议，进一步限制DUV光刻机等设备出货，ASML已经承认这一点，日方面表示预计从今年春季开始限制相关设备出货。

不过也不用担心，因为国产芯已经开始崛起，2022年进口芯片减少超970亿颗，就是证据，说明越来越多的厂商开始用国产芯。

另外，台积电方面也表示，工程师已经无法详细评估几家中企芯片的综合算力。这说明国产芯片的计算能力也在快速提升。

日前，国内官方也发声定调了，称国内已形成较完整的集成电路产业链，也涌现了一批优秀企业和企业家，在局部已形成了很强的能力。

国资委更是明确表示，要加大在芯片半导体、工业母机等方面的投资力度。

详细来说，国内厂商在芯片半导体领域内的突破主要可以归结以下几点。

首先是芯片制造方面。

国内已经能够规模量产14nm工艺的芯片，至于更先进工艺的芯片，N+1工业也实现了小规模量产，其类似7nm工艺。

另外，国内芯片封装已经突破4nm，还是先进的小芯片封装技术，已经有来自国际厂商的订单。

就当下而言，最紧缺的芯片是成熟工艺，也就是28nm等工艺的芯片，国内厂商扩产规模最大，良品率也达到了世界先进水准，敢于同国际大厂相比较。

关键是，28nm等工艺的风险率不断降低，这意味着该工艺全面国产化不远了。

其次是芯片软件以及材料方面。

生产制造芯片，不仅需要光刻机，还需要EDA软件、光刻胶等，前者用于芯片设计，后者用于芯片制造。

国产EDA软件已经能够用于14nm工艺的研发，更先进的EDA软件也在突破中；国产光刻胶已经可以用于AFr工艺的生产，已经交给厂商测试了。

当然，量子芯片已经成为未来趋势，国产量子芯片EDA软件已经面世。

最后是光刻机等半导体设备。

国产光刻机技术已经突破了90nm，28nm精度的光刻机也取得了技术验证，距离成品应该也不会远了。

国产蚀刻机已经突破到5nm，该光刻机已经应用到台积电的芯片生产线中。

至于晶圆倒片机，国内厂商已经突破了14nm，这种倒片机的速度最高可达300片/h。

总结一下，14nm工艺基本已经没有问题，更先进的N+1工艺也能够生产，至于更先进的工艺，国内厂商正在突破，未来也不是问题。

比尔盖茨都明确表示美是无法阻挡中国拥有强大性能芯片的。