抢攻后5G通讯 NTT看准三大关键技术 光通讯、SiC入列

光通讯IOWN与矢量电脑SX-Aurora Tsubasa C401-8、SiC功率半导体，同为NTT看好的2023年产品。图为SX-Aurora Tsubasa C401-8。NEC

日本电信及相关的IT、半导体业，摆脱4G/5G时期颓势，争取后5G时代通讯市场的关键时间点，NTT社长岛田明的看法，就是2023年有三大关键技术：光通讯平台IOWN、矢量超级电脑SX-Aurora Tsubasa C401-8、碳化矽（SiC）功率半导体。

根据NTT公布数据，以光子代替电子进行运算与通讯的IOWN平台，优于现有5G之处有：用电效率提高100倍、传输数据量达125倍、时间迟差缩短为200分之1；其中缩短时间迟差的技术，将在2023年3月转化为IOWN 1.0商业服务，让市场检验IOWN的价值。

岛田明并未指出那些厂商与单位将率先应用IOWN 1.0，但指出目前有三个领域将引进：医疗用线上机器人手术，土木工程用线上机具操控，及电竞。

在电竞应用方面，除IOWN的处理能力以外，双方游戏主机的终端运算能力也是重点，且终端运算在2025年将推出的IOWN 2.0服务相关市场，如交通或防灾领域将具更高的重要性。

而2023年日本将推出的崭新终端运算技术中，岛田明认为与IOWN关系最密切的领域，就是2022年10月启用的日本东北大学（Tohoku University）防灾用超级电脑，AOBA升级案。

此案使用NEC开发的SX-Aurora Tsubasa C401-8，每个节点处理效能是现有系统的2.5倍、用电效率则是2倍，在2023年8月完成升级后，AOBA的运算效能将提高14倍以上，成为全球效能最高的矢量电脑。

但数据传输量与运算量增大，耗电便不可避免跟着增加，尤其是数据中心耗电，估计2018~2030年，日本数据中心耗电将增为6倍，全球则是13倍；减低耗电的关键，则是在效能更高的新材料功率半导体，如SiC、GaN、GaO等。

SiC功率半导体方面，罗姆半导体（Rohm Semiconductor）于2022年12月量产，同业富士电机（Fuji Electric）则将在2023年3月以前量产，汽车零组件大厂电装（Denso）也将准备量产。

因此，日本的功率半导体，将凭藉SiC材料，与同在2023年向前迈出一大步的IOWN及矢量超级电脑，成为日本电信IT产业成长的关键。

责任编辑：陈至娴