干货分享｜解锁 TI 培训课程——基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化

点击上方蓝字

关注我们！

氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体，与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，它可以实现更高的功率密度和效率。德州仪器 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。

在本期 TI 培训课程推荐中，我们为大家带来了基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化系列视频。该课程将探讨如何有效利用 GaN，通过深入探讨拓扑选择、最佳工作频率、布局、热管理、控制等各个方面，最大限度地加速您的设计。

点击下方链接，一起解锁本期培训课程吧！相关资料可以在该课程的“资料下载”处获取。

课程目录

以下为基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化课程的目录：

• 为什么要使用 GaN 进行大功率设计

• 使用 TI GaN 的汽车车载充电器 (OBC) 设计示例

• 电源构建的实际考虑
  

想要了解更多 TI 培训课程和直播等信息？

点击下方图片链接，前往德州仪器小程序！

德州仪器小程序现已进行优化升级，欢迎大家点击阅读下文了解详情：焕新出发！全新优化升级的德州仪器小程序，来开启您的学习之旅~