打破垄断，盖泽半导体首台国产SiC外延膜厚测量设备顺利交付！

近年来半导体设备的周期性正在减弱，行业增长趋势加强。据国际半导体产业协会（SEMI）数据显示，预计2022年半导体制造设备总销售额将达到1085亿美元的新高，较2021年1025亿美元的行业纪录增长5.9%。其中，预计2022年半导体测试设备市场销售额为76亿美元。而在半导体制造环节量测设备市场中，科磊、应用材料、日立高新技术等外国企业形成了巨头垄断优势，国产化率极低。在细分领域，FTIR晶圆量测设备也大多依赖国外厂商进口。

作为较早布局半导体设备领域的本土企业，华矽盖泽半导体科技（上海）有限公司（简称“盖泽半导体”），针对晶圆类产品提供高精度光学检测设备。目前，其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户。

GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。公司自主研发的FTIR光路系统，可快速检测晶圆厚度，实现了扫描速度快、分辨率高、灵敏度高等需求。

值得一提的是，对比国外友商同类型产品，盖泽半导体检测设备具有如下两大优势：

兼容性强，可基于客户需求进行定制化。目前FTIR傅里叶红外晶圆测量设备国内市场严重依赖进口，而进口设备大多为预设程序，兼容性低，且无法为国内企业进行定制化改造。盖泽半导体检测设备可满足客户不同需求，按照客户要求进行设备定制化，如对接客户MES系统或依据工程师习惯进行软件改进，可大幅降低客户的使用及维护成本。

测量时间更短，精度更高。GS-M06Y在测量硅晶圆速度、单片硅晶圆测量时间、测量精度、测试重复性、单点重复性等性能都达到了国际领先水平，部分性能甚至超越国外同类产品。

据集微网了解，此次出货的设备与以往不同，此台设备运用盖泽半导体最新研发的碳化硅外延检测技术，可对碳化硅外延精准测量，是继盖泽半导体9月硅外延检测设备出货后，公司的又一里程碑。盖泽半导体不仅突破了SiC外延检测技术，还可实现一代半导体（硅外延6英寸8英寸12英寸）、二代半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸6英寸8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸6英寸8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸8英寸12英寸，以及锗硅外延制程工艺中不同的外延层厚度测量。

目前，全球各大晶圆厂加速扩产，在复杂的地缘政治因素影响下，国产半导体设备迎来发展良机，盖泽半导体站在时代的风口，不断创新发展。多年来，盖泽半导体在晶圆量测设备领域不断深耕，凭借突出的技术优势以及优秀的产品表现，为半导体晶圆前道量检应用场景提供了一系列可以替换进口的国产化解决方案，致力担纲国产化重任，力做国产晶圆量测设备领航者。